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Análisis

1 / 60.567
1.WO/2010/004944LIGHT-EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
WO - 14.01.2010
Clasificación Internacional H05B 33/12
HELECTRICIDAD
05TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
BCALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
33Fuentes de luz electroluminiscente
12Fuentes de luz con elementos radiantes que tienen esencialmente dos dimensiones
 Nº de solicitud PCT/JP2009/062253 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a SEO, Satoshi
A lightweight flexible light-emitting device which is able to possess a curved display portion and display a full color image with high resolution and the manufacturing process thereof are disclosed. The light-emitting device comprises: a plastic substrate; an insulating layer with an adhesive interposed therebetween; a thin film transistor over the insulating layer; a protective insulating film over the thin film transistor; a color filter over the protective insulating film; and a white-emissive light-emitting element formed over and being in contact with the thin film transistor.
2.WO/2011/145666PULSE OUTPUT CIRCUIT, SHIFT REGISTER, AND DISPLAY DEVICE
WO - 24.11.2011
Clasificación Internacional H03K 19/0175
HELECTRICIDAD
03CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
KTECNICA DE IMPULSO
19Circuitos lógicos, es decir, teniendo al menos dos entradas que actúan sobre una salida; Circuitos de inversión
0175Disposiciones para el acoplamiento; Disposiciones para la interfase
 Nº de solicitud PCT/JP2011/061465 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a AMANO, Seiko
In a pulse output circuit in a shift register, a power source line which is connected to a transistor in an output portion connected to a pulse output circuit at the next stage is set to a low-potential drive voltage, and a power source line which is connected to a transistor in an output portion connected to a scan signal line is set to a variable potential drive voltage. The variable potential drive voltage is the low-potential drive voltage in a normal mode, and can be either a high-potential drive voltage or the low-potential drive voltage in a bath mode. In the batch mode, display scan signals can be output to a plurality of scan signal lines at the same timing in a batch.
3.WO/2011/055620SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
WO - 12.05.2011
Clasificación Internacional H01L 29/786
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66Tipos de dispositivos semiconductores
68controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76Dispositivos unipolares
772Transistores de efecto de campo
78estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786Transistores de película delgada
 Nº de solicitud PCT/JP2010/068105 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a YAMAZAKI, Shunpei
An object of an embodiment of the present invention is to manufacture a semiconductor device with high display quality and high reliability, which includes a pixel portion and a driver circuit portion capable of high-speed operation over one substrate, using transistors having favorable electric characteristics and high reliability as switching elements. Two kinds of transistors, in each of which an oxide semiconductor layer including a crystalline region on one surface side is used as an active layer, are formed in a driver circuit portion and a pixel portion. Electric characteristics of the transistors can be selected by choosing the position of the gate electrode layer which determines the position of the channel. Thus, a semiconductor device including a driver circuit portion capable of high-speed operation and a pixel portion over one substrate can be manufactured.
4.WO/2011/034068LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
WO - 24.03.2011
Clasificación Internacional G09F 9/30
GFISICA
09ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD; PRECINTOS
FPRESENTACION; PUBLICIDAD; CARTELES; ETIQUETAS O PLACAS DE IDENTIFICACION; PRECINTOS
9Dispositivos de representación de información variable, en los que la información se forma sobre un soporte, por selección o combinación de elementos individuales
30en los que el o los caracteres deseados se forman por una combinación de elementos individuales
 Nº de solicitud PCT/JP2010/065887 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a EGUCHI, Shingo
An object of the invention is to improve the reliability of a light-emitting device. Another object of the invention is to provide flexibility to a light-emitting device having a thin film transistor using an oxide semiconductor film. A light-emitting device has, over one flexible substrate, a driving circuit portion including a thin film transistor for a driving circuit and a pixel portion including a thin film transistor for a pixel. The thin film transistor for a driving circuit and the thin film transistor for a pixel are inverted staggered thin film transistors including an oxide semiconductor layer which is in contact with a part of an oxide insulating layer.
5.WO/2013/077686PHASED INFORMATION PROVIDING SYSTEM AND METHOD
WO - 30.05.2013
Clasificación Internacional G06F 3/01
GFISICA
06CALCULO; CONTEO
FPROCESAMIENTO ELECTRICO DE DATOS DIGITALES
3Disposiciones de entrada para la transferencia de datos destinados a ser procesados en una forma utilizable por el computador; Disposiciones de salida para la transferencia de datos desde la unidad de procesamiento a la unidad de salida, p. ej. disposiciones de interfaz
01Disposiciones de entrada o disposiciones combinadas de entrada y salida para la interacción entre el usuario y el computador
 Nº de solicitud PCT/KR2012/010021 Solicitante KIM, Si-Han Inventor/a KIM, Si-Han
The present invention relates to a terminal comprising a display, a central processing device and an input device. When an operation instruction for a phase of discriminating phases is input on the display, the input device outputs the operation instruction for the phase and the central processing device recognizes the phase of the operation instruction for the phase and outputs information relevant to the phase to the display. Thus, information relevant to the information being displayed on the current screen can be effectively displayed on the screen of the display even without executing several screen switching instructions.
6.WO/2012/005541PORTABLE DISPLAY DEVICE
WO - 12.01.2012
Clasificación Internacional G06F 3/14
GFISICA
06CALCULO; CONTEO
FPROCESAMIENTO ELECTRICO DE DATOS DIGITALES
3Disposiciones de entrada para la transferencia de datos destinados a ser procesados en una forma utilizable por el computador; Disposiciones de salida para la transferencia de datos desde la unidad de procesamiento a la unidad de salida, p. ej. disposiciones de interfaz
14Salida digital hacia un dispositivo de visualización
 Nº de solicitud PCT/KR2011/005017 Solicitante KIM, Si-Han Inventor/a KIM, Si-Han
The present invention relates to a portable display device which includes at least two panel housings, and the panel housings are provided with respective displays, such that the displays are interconnected to form a single screen when the panel housings are unfolded. The entire screen of the display device can be displayed as being divided in a vertical or horizontal direction by the first display and the second display. The first display and the second display contact each other. The portable display device includes a first input device corresponding to the information outputted on the first display and a second input device corresponding to the information outputted on the second display. The first input device and the second input device also contact each other, such that the two input devices can be used as a single input device.
7.WO/2010/058746SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
WO - 27.05.2010
Clasificación Internacional H01L 29/786
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66Tipos de dispositivos semiconductores
68controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76Dispositivos unipolares
772Transistores de efecto de campo
78estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786Transistores de película delgada
 Nº de solicitud PCT/JP2009/069407 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a MIYAIRI, Hidekazu
As a display device has higher definition, the number of pixels is increased and thus, the number of gate lines and signal lines is increased. When the number of gate lines and signal lines is increased, it is difficult to mount IC chips including driver circuits for driving the gate lines and the signal lines by bonding or the like, whereby manufacturing cost is increased. A pixel portion and a driver circuit for driving the pixel portion are provided on the same substrate, and at least part of the driver circuit comprises a thin film transistor including an oxide semiconductor sandwiched between gate electrodes. A channel protective layer is provided between the oxide semiconductor and a gate electrode provided over the oxide semiconductor. The pixel portion and the driver circuit are provided on the same substrate, which leads to reduction of manufacturing cost.
8.WO/1993/001545HIGH-PERFORMANCE RISC MICROPROCESSOR ARCHITECTURE
WO - 21.01.1993
Clasificación Internacional G06F 9/30
GFISICA
06CALCULO; CONTEO
FPROCESAMIENTO ELECTRICO DE DATOS DIGITALES
9Disposiciones para el control por programa, p. ej. unidades de control
06que utilizan programas almacenados, es decir que utilizan una unidad de almacenamiento interna del equipo de procesamiento para recibir o conservar programas
30Disposiciones para ejecutar instrucciones de máquinas, p. ej. decodificación de instrucciones
 Nº de solicitud PCT/JP1992/000868 Solicitante SEIKO EPSON CORPORATION Inventor/a NGUYEN, Le Trong
The high-performance, RISC core based microprocessor architecture permits concurrent execution of instructions obtained from memory through an instruction prefetch unit having multiple prefetch paths allowing for the main program instruction stream, a target conditional branch instruction stream and a procedural instruction stream. The target conditional branch prefetch path allows both possible instruction streams for a conditional branch instruction to be prefetched. The procedural instruction prefetch path allows a supplementary instruction stream to be accessed without clearing the main or target prefetch buffers. Each instruction set includes a plurality of fixed length instructions. An instruction FIFO is provided for buffering instruction sets in a plurality of instruction set buffers including a first buffer and a second buffer. An instruction execution unit including a register file and a plurality of functional units is provided with an instruction control unit capable of examining the instruction sets within the first and second buffers and scheduling any of the instructions for execution by available functional units. Multiple data paths between the functional units and the register file allow multiple independent accesses to the register file by the functional units as necessary for the execution of the respective instructions.
9.WO/2011/004755SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
WO - 13.01.2011
Clasificación Internacional H01L 21/336
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
334Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar
335Transistores de efecto de campo
336con puerta aislada
 Nº de solicitud PCT/JP2010/061221 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a YAMAZAKI, Shunpei
It is an object to manufacture and provide a highly reliable display device including a thin film transistor with a high aperture ratio which has stable electric characteristics. In a manufacturing method of a semiconductor device having a thin film transistor in which a semiconductor layer including a channel formation region is formed using an oxide semiconductor film, a heat treatment for reducing moisture and the like which are impurities and for improving the purity of the oxide semiconductor film (a heat treatment for dehydration or dehydrogenation) is performed. Further, an aperture ratio is improved by forming a gate electrode layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer using conductive films having light transmitting properties.
10.WO/2012/120870VIDEO ENCODING DEVICE, VIDEO ENCODING METHOD, VIDEO ENCODING PROGRAM, VIDEO DECODING DEVICE, VIDEO DECODING METHOD, AND VIDEO DECODING PROGRAM
WO - 13.09.2012
Clasificación Internacional H04N 7/32
HELECTRICIDAD
04TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
NTRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
7Sistemas de televisión
24Sistemas para la transmisión de señales de televisión que utilizan la modulación por impulsos codificados
26que utilizan la reducción del ancho de banda
32que implican la codificación predictiva
 Nº de solicitud PCT/JP2012/001503 Solicitante JVC KENWOOD CORPORATION Inventor/a TAKEHARA, Hideki
In the present invention, a first predicted-vector-candidate-list generation unit (130) generates a first predicted-motion-vector-candidate list from motion vectors of encoded blocks neighboring a block to be encoded. A second predicted-vector-candidate-list generation unit (132) generates a second predicted-motion-vector-candidate list from the motion vectors of: a block having the same position in an encoded image as the block to be encoded; and blocks neighboring the block having the same position. By comparing a threshold size and the block size of the block to be encoded, a combination determination unit (131) determines whether or not to generate a third predicted-vector-candidate list combining the first and second predicted-vector-candidate lists. A predicted-vector-candidate-list decision unit (133) generates a third predicted-vector-candidate list from the first predicted-vector-candidate list without combining the second predicted-vector-candidate list when the block size of the block to be encoded is smaller than the threshold size.
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