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1. US20160118111 - Reduced level cell mode for non-volatile memory

Oficina Estados Unidos de América
Número de solicitud 14984491
Fecha de la solicitud 30.12.2015
N.º de publicación 20160118111
Fecha de publicación 28.04.2016
Número de concesión
Fecha de concesión 14.03.2017
Tipo de publicación B2
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
52
Protección de los contenidos de la memoria; Detección de errores en los contenidos de la memoria
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
10
Circuitos de programación o de entrada de datos
14
Circuitos para borrar eléctricamente, p.ej. circuitos de conmutación de la tensión de borrado
16
para borrar bloques, p. ej. filas, palabras, grupos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
04
utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
10
Circuitos de programación o de entrada de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
06
COMPUTO; CALCULO; CONTEO
F
TRATAMIENTO DE DATOS DIGITALES ELECTRICOS
11
Detección de errores; Corrección de errores; Monitorización del funcionamiento
07
Respuesta ante la aparición de un defecto, p. ej. tolerancia ante fallos
08
Detección o corrección de errores por introducción de redundancia en la representación de los datos, p. ej. utilizando códigos de control
10
añadiendo cifras binarias o símbolos especiales a los datos expresados según un código, p. ej. control de paridad, exclusión de los 9 o de los 11
G11C 29/00
G11C 11/56
G11C 29/52
G11C 16/16
G11C 16/04
G11C 16/10
CPC
G11C 11/5635
G06F 11/1072
G06F 2212/7207
G06F 2212/7208
G06F 2212/7209
G11C 11/5621
Solicitantes Longitude Enterprise Flash S.a.r.l.
SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventores Jea Hyun
Ryan Haynes
Charla Mosier
Rick Lucky
Robert Wood
Mandatarios Kunzler Law Group, PC
Título
(EN) Reduced level cell mode for non-volatile memory
Resumen
(EN)

Apparatuses, systems, methods, and computer program products are disclosed for reduced level cell solid-state storage. A method includes determining that an erase block of a non-volatile storage device is to operate in a reduced level cell (RLC) mode. The non-volatile storage device may be configured to store at least three bits of data per storage cell. A method includes instructing the non-volatile storage device to program first and second pages of the erase block with data. A method includes instructing the non-volatile storage device to program a third page of the erase block with a predefined data pattern. Programming of a predefined data pattern may be configured to adjust which abodes of the erase block are available to represent stored user data values.