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1. KR1020160113051 - READ LEVEL GROUPING FOR INCREASED FLASH PERFORMANCE

Oficina República de Corea
Número de solicitud 1020160032905
Fecha de la solicitud 18.03.2016
N.º de publicación 1020160113051
Fecha de publicación 28.09.2016
Número de concesión 1018312090000
Fecha de concesión 23.02.2018
Tipo de publicación B1
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
08
Circuitos de direccionamiento; Descodificadores; Circuitos de control de líneas de palabras
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
10
Circuitos de programación o de entrada de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
02
Detección o localización de circuitos auxiliares defectuosos, p. ej. contadores de refresco defectuosos
G11C 16/26
G11C 11/56
G11C 16/08
G11C 16/10
G11C 29/02
CPC
G11C 16/34
G11C 8/12
G11C 8/14
G11C 16/08
G11C 16/26
G11C 16/349
Solicitantes 에이취지에스티 네덜란드 비.브이.
에이취지에스티 네덜란드 비.브이.
Inventores 카라쿨락 세이한
웨더스 안소니 드웨인
바른트 리차드 데이빗
카라쿨락 세이한
웨더스 안소니 드웨인
바른트 리차드 데이빗
Mandatarios 김태홍
김진회
김태홍
김진회
Datos de prioridad 14664768 20.03.2015 US
Título
(EN) READ LEVEL GROUPING FOR INCREASED FLASH PERFORMANCE
(KO) 증가된 플래시 성능을 위한 판독 레벨 그룹화
Resumen
(EN)
The present invention relates to a method for recovering information stored in a flash memory. A table of error counts is generated on the basis of reading word lines of a flash memory device. The table saves error counts for each combination of read level voltage which is used for read word lines and word lines. On the basis of the table of error counts, a plurality of offset word line groups are generated and each group associates different read level offset voltage with a plurality of word line addresses. A storing device is configured to read memory cells by using read level offset voltage of the generated offset word line group associated with word line address of memory cells to be read. After a predetermined point within a life cycle of each memory block, a table is re-generated and on the basis of the re-generated table of error counts, a plurality of offset word line groups are re-generated. COPYRIGHT KIPO 2016

(KO)
에러 카운트들의 표는 플래시 메모리 디바이스의 워드라인들을 판독하는 것에 기반하여 생성되며, 표는 워드라인 및 워드라인들을 판독하는데 사용되는 각각의 판독 레벨 전압의 각각의 조합에 대한 에러 카운트를 저장한다. 복수의 오프셋 워드라인 그룹은 에러 카운트들의 표에 기반하여 생성되며, 각각의 그룹은 상이한 판독 레벨 오프셋 전압을 복수의 워드라인 어드레스와 연관시킨다. 저장 디바이스는 판독될 메모리 셀들의 워드라인 어드레스와 연관되는 생성된 오프셋 워드라인 그룹의 판독 레벨 오프셋 전압을 사용하여 메모리 셀들을 판독하도록 구성된다. 각각의 메모리 블록의 수명 주기의 미리 결정된 시점 후에, 표는 재생성되고 복수의 오프셋 워드라인 그룹은 에러 카운트들의 재생성된 표에 기반하여 재생성된다.

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