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1. JP2014022037 - MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM AND READING VOLTAGE CONTROL METHOD FOR THE MEMORY DEVICE

Oficina Japón
Número de solicitud 2013151422
Fecha de la solicitud 22.07.2013
N.º de publicación 2014022037
Fecha de publicación 03.02.2014
Número de concesión 6238613
Fecha de concesión 10.11.2017
Tipo de publicación B2
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
08
Circuitos de direccionamiento; Descodificadores; Circuitos de control de líneas de palabras
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
24
Circuitos de control de líneas de bits
G11C 16/26
G11C 11/56
G11C 16/08
G11C 16/24
CPC
G11C 11/5642
G11C 16/00
G11C 16/0483
G11C 16/26
G11C 16/3431
G11C 29/021
Solicitantes SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
三星電子株式会社
Inventores CHOI MYUNG-HOON
崔 明▲勲▼
JEONG JAE-YONG
鄭 宰▲ヨン▼
PARK KI TAE
朴 起台
Mandatarios 実広 信哉
Datos de prioridad 10-2012-0080247 23.07.2012 KR
Título
(EN) MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM AND READING VOLTAGE CONTROL METHOD FOR THE MEMORY DEVICE
(JA) メモリ装置、メモリシステム及び該メモリ装置の読み取り電圧の制御方法
Resumen
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory device, a memory system, and a reading voltage control method for the memory device.

SOLUTION: A memory device comprises: a memory cell array including a plurality of memory cells; a page buffer part configured such that among the memory cells, pieces of data read in order at different voltage levels are stored for each of some of the memory cells, and a logic operation relating to each piece of data is carried out; and a counting part configured such that, based on the results of the logic operations, the number of memory cells present in each of sections separated from one another by different voltage levels are counted.

COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT

(JA)

【課題】メモリ装置、メモリシステム及び該メモリ装置の読み取り電圧の制御方法を提供する。
【解決手段】複数のメモリセルを含むメモリセル・アレイ、複数のメモリセルのうち、一部メモリセルのそれぞれについて、互いに異なる電圧レベルで順次に読み取られたデータをそれぞれ保存し、データに係わる論理演算をそれぞれ行う複数のページバッファを含むページバッファ部、及び該論理演算の結果を基にして、互いに異なる電圧レベルによって区分される複数の区画それぞれに存在するメモリセルの個数をカウンティングするカウンティング部を含むメモリ装置である。
【選択図】図1