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1. DE102016003366 - LESEPEGELGRUPPIERUNG FÜR ERHÖHTE FLASH-LEISTUNG

Oficina Alemania
Número de solicitud 102016003366
Fecha de la solicitud 18.03.2016
N.º de publicación 102016003366
Fecha de publicación 22.09.2016
Tipo de publicación A1
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
34
Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención
G11C 16/34
CPC
G11C 16/26
G11C 16/3427
G11C 8/12
G11C 8/14
G11C 16/08
G11C 16/34
Solicitantes HGST Netherlands B.V.
Inventores Karakulak Seyhan
Weathers Anthony Dwayne
Barndt Richard David
Mandatarios Patentanwälte Strehl, Schübel-Hopf & Partner
Datos de prioridad 14664768 20.03.2015 US
Título
(DE) LESEPEGELGRUPPIERUNG FÜR ERHÖHTE FLASH-LEISTUNG
Resumen
(DE)

Auf der Basis des Lesens von Wortleitungen einer Flash-Speichervorrichtung wird eine Tabelle von Fehlerzählwerten erzeugt, wobei die Tabelle einen Fehlerzählwert für jede Kombination von Wortleitung und jeweiliger Lesepegelspannung speichert, die verwendet wird, um die Wortleitungen zu lesen. Mehrere Versatzwortleitungsgruppen werden auf der Basis der Tabelle von Fehlerzählwerten erzeugt, wobei jede Gruppe eine unterschiedliche Lesepegelversatzspannung mehreren Wortleitungsadressen zuordnet. Eine Ablagevorrichtung ist dazu konfiguriert, Speicherzellen unter Verwendung einer Lesepegelversatzspannung einer erzeugten Versatzwortleitungsgruppe zu lesen, die einer Wortleitungsadresse der zu lesenden Speicherzellen zugeordnet ist. Nach einem vorbestimmten Punkt in einem Lebenszyklus eines jeweiligen Speicherblocks wird die Tabelle regeneriert und mehrere Versatzwortleitungsgruppen werden auf der Basis der regenerierten Tabelle von Fehlerzählwerten regeneriert.

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