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1. DE102013107626 - Speichervorrichtung, Speichersystem und Verfahren zum Steuern einer Lesespannung der Speichervorrichtung

Oficina Alemania
Número de solicitud 102013107626
Fecha de la solicitud 17.07.2013
N.º de publicación 102013107626
Fecha de publicación 27.02.2014
Tipo de publicación A1
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G11C 16/26
CPC
G11C 11/5642
G11C 16/00
G11C 16/0483
G11C 16/26
G11C 16/3431
G11C 29/021
Solicitantes Samsung Electronics Co. Ltd.
Inventores Choi Myung-hoon
Jeong Jae-Yong
Park Ki-tae
Mandatarios Kuhnen & Wacker Patent- und Rechtsanwaltsbüro
Datos de prioridad 10-2012-0080247 23.07.2012 KR
Título
(DE) Speichervorrichtung, Speichersystem und Verfahren zum Steuern einer Lesespannung der Speichervorrichtung
Resumen
(DE)

Eine Speichervorrichtung (20A, 20B, 20C, 20D, 20E) weist ein Speicherzell-Array (21), welches eine Mehrzahl von Speicherzellen hat, und eine Seitenpuffereinheit (22, 22a, 22b, 22') auf, welche eine Mehrzahl von Seitenpuffern aufweist, welche konfiguriert sind, um eine Mehrzahl von Datenteilen zu speichern, welche jeweils sequentiell von einigen der Mehrzahl von Speicherzellen unter verschiedenen Lesespannungspegeln gelesen werden, und um jeweils eine Logikoperation auf der Mehrzahl von Datenteilen auszuführen. Die Speichervorrichtung (20A, 20B, 20C, 20D, 20E) weist ferner eine Zähleinheit (23, 23a, 23b, 23') auf, welche konfiguriert ist, um die Anzahl von Speicherzellen, welche in jeder einer Mehrzahl von Sektionen, welche durch die unterschiedlichen Lesespannungspegel definiert sind, existieren, basierend auf Ergebnissen der Logikoperation, zu zählen.