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1. CN105989891 - Read level grouping for increased flash performance

Oficina China
Número de solicitud 102016000161521
Fecha de la solicitud 21.03.2016
N.º de publicación 105989891
Fecha de publicación 05.10.2016
Tipo de publicación A
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
34
Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención
G11C 16/26
G11C 16/34
CPC
G11C 16/26
G11C 16/3427
G11C 8/12
G11C 8/14
G11C 16/08
G11C 16/34
Solicitantes HGST NETHERLANDS B.V.
Inventores SEYHAN KARAKULAK
RICHARD DAVID BARNDT
ANTHONY DWAYNE WEATHERS
Datos de prioridad 14664768 20.03.2015 US
Título
(EN) Read level grouping for increased flash performance
(ZH) 用于增强的闪存性能的读取级别分组
Resumen
(EN)
The invention discloses a read level grouping for increased flash performance.A table of error counts is generated based on reading wordlines of a flash memory device, the table storing an error count for each combination of wordline and respective read level voltage used to read the wordlines. A plurality of offset wordline groups are generated based on the table of error counts, with each group associating a different read level offset voltage with a plurality of wordline addresses. A storage device is configured to read memory cells using a read level offset voltage of a generated offset wordline group associated with a wordline address of the memory cells to be read. After a predetermined point in a life cycle of a respective memory block, the table is regenerated and plurality of offset wordline groups are regenerated based the regenerated table of error counts.

(ZH)
用于增强的闪存性能的读取级别分组。错误计数表基于读取闪存装置的字线而生成,该表存储对于字线和读取该字线的相应读取级别电压的每个组合的错误计数。多个偏移字线组基于错误计数表而生成,每个组使不同读取级别偏移电压与多个字线地址关联。存储装置被配置为使用与待读取存储元件的字线地址关联的所生成的偏移字线组的读取级别偏移电压来读取存储元件。在相应存储块的寿命周期中的预定点之后,重新生成该表,并且基于重新生成的错误计数表而重新生成多个偏移字线组。

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