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1. (WO2019049791) METHOD FOR PRODUCING SEALED OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/049791 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/032424
Fecha de publicación: 14.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.08.2018
CIP:
H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
52
Encapsulados
54
que tienen una forma particular
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
50
Elementos de conversión de longitud de onda
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
52
Encapsulados
56
Materiales, p. ej. epoxy o resina de silicona
Solicitantes:
東レ・ダウコーニング株式会社 DOW CORNING TORAY CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
ダウ シリコーンズ コーポレーション DOW SILICONES CORPORATION [US/US]; ミシガン州ミッドランド ウェスト サルツバーグ ロード 2200 2200 West Salzburg Road Midland, Michigan 486860994, US
Personas inventoras:
北浦 英二 KITAURA Eiji; JP
尼子 雅章 AMAKO Masaaki; JP
スウィアー スティーブン SWIER Steven; US
Mandataria/o:
村山 靖彦 MURAYAMA Yasuhiko; JP
実広 信哉 JITSUHIRO Shinya; JP
阿部 達彦 ABE Tatsuhiko; JP
Datos de prioridad:
2017-17292908.09.2017JP
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING SEALED OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ISOLÉ
(JA) 封止光半導体デバイスの製造方法
Resumen:
(EN) Provided is a method for producing a sealed optical semiconductor device that makes it possible to seal an optical semiconductor element in a highly reliable manner even when the physical properties of a sealing film in an inner layer include poor stretchability. The present invention includes the following steps: a step in which at least two types of sealing films including an inner layer sealing film and an outermost layer sealing film are placed in this order on an optical semiconductor element placement substrate on which an optical semiconductor element is placed within a pressure reduction chamber and the pressure in the pressure reduction chamber is reduced; a step in which the outermost layer sealing film is heated and at least the periphery of the outermost layer sealing film is thermally fused to the surface of the optical semiconductor element placement substrate; and a step in which the reduction of pressure within the pressure reduction chamber is released and the optical semiconductor element placement substrate is sealed by the outermost layer sealing film and the inner layer sealing film. The temperature T2 of the optical semiconductor element placement substrate when the reduction of pressure within the pressure reduction chamber is released is a temperature at which the outermost layer sealing film exhibits a tensile strength of 0.02-0.15 MPa and an elongation at break of 200-450%. The inner layer sealing film exhibits a loss tangent (tan δ) of 1.6 or more at the temperature T2.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur optique isolé qui permet de rendre étanche de manière hautement fiable un élément semi-conducteur optique même quand les propriétés physiques d'un film d'étanchéité dans une couche interne présentent une faible extensibilité. La présente invention comprend les étapes suivantes : une étape consistant à placer au moins deux types de films d'étanchéité dont un film d'étanchéité de couche interne et un film d'étanchéité de couche externe dans cet ordre sur un substrat de placement d'élément semi-conducteur optique sur lequel est placé un élément semi-conducteur optique dans une chambre de réduction de pression, et à réduire la pression dans la chambre de réduction de pression ; une étape consistant à chauffer le film d'étanchéité de couche externe et à faire fondre thermiquement au moins la périphérie de ce dernier sur la surface du substrat de placement d'élément semi-conducteur optique ; et une étape consistant à libérer la réduction de pression dans la chambre de réduction de pression et à rendre étanche le substrat de placement d'élément semi-conducteur optique à l'aide des films d'étanchéité externe et interne. La température T2 du substrat de placement d'élément semi-conducteur optique quand la réduction de pression dans la chambre de réduction de pression est libérée est une température à laquelle le film d'étanchéité de couche externe présente une résistance à la traction de 0,02 à 0,15 MPa et un allongement à la rupture de 200 à 450 %. Le film d'étanchéité de couche interne présente un facteur de dissipation (tan δ) supérieur ou égal à 1,6 à la température T2.
(JA) 内層の封止フィルムが伸張しにくい物理的特性を有する場合であっても、高い信頼性で光半導体素子を封止できる、封止光半導体デバイスの製造方法を提供する。本発明は、減圧チャンバー内で光半導体素子を搭載する光半導体素子搭載基板上に、内層封止フィルム及び最外層封止フィルムを含む少なくとも2種の封止フィルムをこの順で載置し、前記減圧チャンバー内を減圧する工程、前記最外層封止フィルムを加熱して、前記最外層封止フィルムの少なくとも周辺部を前記光半導体素子搭載基板の表面に熱融着させる工程、及び、前記減圧チャンバー内の減圧を解除して、前記最外層封止フィルムと内層封止フィルムで前記光半導体素子搭載基板を封止する工程を含み、前記減圧チャンバー内の減圧を解除する時点の前記光半導体素子搭載基板の温度Tは、前記最外層封止フィルムが0.02~0.15MPaの引張強度及び200~450%の破断伸度を示す温度であり、前記内層封止フィルムが、前記温度Tで、1.6以上の損失正接(tan δ)を示す。
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Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)