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1. (WO2018147202) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, OPTICAL AREA SENSOR USING SAME, IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
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Nº de publicación: WO/2018/147202 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/003691
Fecha de publicación: 16.08.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 02.02.2018
CIP:
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
51
Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas
42
especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular; especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
146
Estructuras de captadores de imágenes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
08
en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias
10
caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores
Solicitantes:
キヤノン株式会社 CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
Personas inventoras:
高橋 哲生 TAKAHASHI Tetsuo; JP
塩原 悟 SHIOBARA Satoru; JP
鎌谷 淳 KAMATANI Jun; JP
山田 直樹 YAMADA Naoki; JP
山口 智奈 YAMAGUCHI Tomona; JP
大類 博揮 OHRUI Hiroki; JP
岩脇 洋伸 IWAWAKI Hironobu; JP
板橋 真澄 ITABASHI Masumi; JP
西出 洋祐 NISHIDE Yosuke; JP
宮下 広和 MIYASHITA Hirokazu; JP
梶本 典史 KAJIMOTO Norifumi; JP
野口 萌恵 NOGUCHI Moe; JP
河田 功 KAWATA Isao; JP
伊藤 祐斗 ITO Yuto; JP
Mandataria/o:
岡部 讓 OKABE Yuzuru; JP
齋藤 正巳 SAITO Masami; JP
Datos de prioridad:
2017-02023907.02.2017JP
2017-22168417.11.2017JP
2017-25092927.12.2017JP
Título (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, OPTICAL AREA SENSOR USING SAME, IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, CAPTEUR À ZONE OPTIQUE L'UTILISANT, ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 光電変換素子、及びこれを用いた光エリアセンサ、撮像素子、撮像装置
Resumen:
(EN) Provided is a photoelectric conversion element that includes: an anode; a photoelectric conversion layer comprising a first organic semiconductor, a second organic semiconductor, and a third organic semiconductor; and a cathode. The first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor are all low-molecular organic semiconductors; the mass ratio thereof satisfies the first organic semiconductor ≥ second organic semiconductor ≥ third organic semiconductor; and when the sum of the first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor is 100 mass%, the content of the second organic semiconductor is 6 mass% or more, and the content of the third organic semiconductor is 3 mass% or more.
(FR) L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui comprend : une anode; une couche de conversion photoélectrique comprenant un premier semiconducteur organique, un second semiconducteur organique et un troisième semiconducteur organique; et une cathode. Le premier semiconducteur organique, le second semiconducteur organique et le troisième semiconducteur organique sont tous des semiconducteurs organiques à faible masse moléculaire; dont le rapport en masse satisfait : le premier semiconducteur organique ≥ second semiconducteur organique ≥ troisième semiconducteur organique; et lorsque la somme du premier semiconducteur organique, second semiconducteur organique et troisième semiconducteur organique est de 100 % en masse, la teneur du second semiconducteur organique est inférieure ou égale à 6 % en masse, et la teneur du troisième semiconducteur organique est supérieure ou égale à 3 % en masse.
(JA) アノードと、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体とからなる光電変換層と、カソードとを有する光電変換素子において、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体としていずれも低分子有機半導体を用い、質量比を第一の有機半導体≧第二の有機半導体≧第三の有機半導体とし、さらに、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体の合計を100質量%とした時、第二の有機半導体の含有量を6質量%以上、第三の有機半導体の含有量を3質量%以上とする光電変換素子。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)