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1. (WO2018063400) MULTI-CHIP PACKAGE WITH HIGH DENSITY INTERCONNECTS
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2018/063400 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2016/055023
Fecha de publicación: 05.04.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 30.09.2016
CIP:
H01L 25/18 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
18
siendo los dispositivos de tipos previstos en varios subgrupos diferentes del mismo grupo principal de los gruposH01L27/-H01L51/220
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
04
los dispositivos no tienen contenedores separados
065
siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupoH01L27/107
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
Solicitantes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Personas inventoras:
ALEKSOV, Aleksandar; US
ELSHERBINI, Adel A.; US
DARMAWIKARTA, Kristof; US
MAY, Robert A.; US
BOYAPATI, Sri Ranga Sai; US
Mandataria/o:
GUGLIELMI, David, L.; US
Datos de prioridad:
Título (EN) MULTI-CHIP PACKAGE WITH HIGH DENSITY INTERCONNECTS
(FR) BOÎTIER MULTI-PUCE À INTERCONNEXIONS HAUTE DENSITÉ
Resumen:
(EN) An apparatus is provided which comprises: a plurality of first conductive contacts having a first pitch spacing on a substrate surface, a plurality of second conductive contacts having a second pitch spacing on the substrate surface, and a plurality of conductive interconnects disposed within the substrate to couple a first grouping of the plurality of second conductive contacts associated with a first die site with a first grouping of the plurality of second conductive contacts associated with a second die site and to couple a second grouping of the plurality of second conductive contacts associated with the first die site with a second grouping of the plurality of second conductive contacts associated with the second die site, wherein the conductive interconnects to couple the first groupings are present in a layer of the substrate above the conductive interconnects to couple the second groupings. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : une pluralité de premiers contacts conducteurs ayant un premier espacement de pas sur une surface de substrat, une pluralité de seconds contacts conducteurs ayant un second espacement de pas sur la surface de substrat, et une pluralité d'interconnexions conductrices disposées à l'intérieur du substrat pour coupler un premier groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés à un premier site de puce avec un premier groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés à un second site de puce et pour coupler un second groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés au premier site de puce avec un second groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés au second site de puce, les interconnexions conductrices pour coupler les premiers groupements étant présentes dans une couche du substrat au-dessus des interconnexions conductrices pour coupler les seconds groupements. L'invention se rapporte également à d'autres modes de réalisation.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)