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1. (WO2018044904) SPECTRAL REFLECTOMETRY FOR IN-SITU PROCESS MONITORING AND CONTROL
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Nº de publicación: WO/2018/044904 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2017/049138
Fecha de publicación: 08.03.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 29.08.2017
CIP:
G01N 21/95 (2006.01) ,G01N 21/55 (2006.01) ,G01N 21/25 (2006.01) ,G01N 21/88 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01)
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
N
INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS
21
Investigación o análisis de los materiales por la utilización de medios ópticos, es decir, utilizando rayos infrarrojos, visibles o ultravioletas
84
Sistemas especialmente adaptados a aplicaciones particulares
88
Investigación de la presencia de grietas, de defectos o de manchas
95
caracterizada por el material o la forma del objeto que se va a examinar
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
N
INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS
21
Investigación o análisis de los materiales por la utilización de medios ópticos, es decir, utilizando rayos infrarrojos, visibles o ultravioletas
17
Sistemas en los que la luz incidente es modificada con arreglo a las propiedades del material examinado
55
Reflexión especular
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
N
INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS
21
Investigación o análisis de los materiales por la utilización de medios ópticos, es decir, utilizando rayos infrarrojos, visibles o ultravioletas
17
Sistemas en los que la luz incidente es modificada con arreglo a las propiedades del material examinado
25
Color; Propiedades espectrales, es decir, comparación del efecto del material sobre la luz para varias longitudes de ondas o varias bandas de longitudes de ondas diferentes
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
N
INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS
21
Investigación o análisis de los materiales por la utilización de medios ópticos, es decir, utilizando rayos infrarrojos, visibles o ultravioletas
84
Sistemas especialmente adaptados a aplicaciones particulares
88
Investigación de la presencia de grietas, de defectos o de manchas
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
N
INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS
21
Investigación o análisis de los materiales por la utilización de medios ópticos, es decir, utilizando rayos infrarrojos, visibles o ultravioletas
84
Sistemas especialmente adaptados a aplicaciones particulares
88
Investigación de la presencia de grietas, de defectos o de manchas
95
caracterizada por el material o la forma del objeto que se va a examinar
956
Inspección de motivos sobre la superfice de objetos
Solicitantes:
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Dept. One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Personas inventoras:
JAIN, Prateek; US
WACK, Daniel; US
PETERLINZ, Kevin; US
SHCHEGROV, Andrei; US
KRISHNAN, Shankar; US
Mandataria/o:
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M.N.; US
Datos de prioridad:
15/688,75128.08.2017US
62/380,74829.08.2016US
Título (EN) SPECTRAL REFLECTOMETRY FOR IN-SITU PROCESS MONITORING AND CONTROL
(FR) RÉFLECTOMÉTRIE SPECTRALE POUR SURVEILLANCE ET RÉGULATION IN SITU DE PROCESSUS
Resumen:
(EN) Methods and systems for performing in-situ, selective spectral reflectometry (SSR) measurements of semiconductor structures disposed on a wafer are presented herein. Illumination light reflected from a wafer surface is spatially imaged. Signals from selected regions of the image are collected and spectrally analyzed, while other portions of the image are discarded. In some embodiments, a SSR includes a dynamic mirror array (DMA) disposed in the optical path at or near a field plane conjugate to the surface of the semiconductor wafer under measurement. The DMA selectively blocks the undesired portion of wafer image. In other embodiments, a SSR includes a hyperspectral imaging system including a plurality of spectrometers each configured to collect light from a spatially distinct area of a field image conjugate to the wafer surface. Selected spectral signals associated with desired regions of the wafer image are selected for analysis.
(FR) L'invention concerne des procédés et des systèmes pour la réalisation in situ de mesures de réflectométrie spectrale sélective (SSR) concernant des structures semi-conductrices disposées sur une tranche. Une lumière d'éclairage réfléchie par la surface d'une tranche est imagée spatialement. Des signaux provenant de régions sélectionnées de l'image sont recueillis et analysés spectralement, tandis que d'autres parties de l'image sont rejetées. Dans certains modes de réalisation, une SSR fait intervenir un réseau de miroirs dynamiques (DMA) disposé sur le trajet optique au niveau ou à proximité d'un plan de champ conjugué à la surface de la tranche à semi-conducteurs faisant l'objet des mesures. Le DMA bloque sélectivement la partie non souhaitée de l'image de la tranche. Dans d'autres modes de réalisation, une SSR fait intervenir un système d'imagerie hyperspectrale comprenant une pluralité de spectromètres configurés chacun pour recueillir de la lumière en provenance d'une zone spatialement distincte d'une image de champ conjuguée à la surface de la tranche. Des signaux spectraux sélectionnés associés à des régions souhaitées de l'image de la tranche sont sélectionnés en vue de leur analyse.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)