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1. WO2011054982 - PSEUDO-ELECTRODO DE REFERENCIA DE PELÍCULA DELGADA Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN

N.º de publicación WO/2011/054982
Fecha de publicación 12.05.2011
Nº de la solicitud internacional PCT/ES2010/000418
Fecha de presentación internacional 15.10.2010
Se presentó la solicitud en virtud del Capítulo II 02.06.2011
CIP
G01N 27/30 2006.01
GFISICA
01METROLOGIA; ENSAYOS
NINVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS
27Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos
26investigando variables electroquímicas; utilizando la electrólisis o la electroforesis
28Componentes de células electrolíticas.
30Electrodos, p. ej. electrodos para el análisis; Semicélulas
C23C 14/34 2006.01
CQUIMICA; METALURGIA
23REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
CREVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
14Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento
22caracterizado por el proceso de revestimiento
34Pulverización catódica
CPC
G01N 27/301
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
28Electrolytic cell components
30Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
301Reference electrodes
Solicitantes
  • CENTRO DE ESTUDIOS E INVESTIGACIONES TÉCNICAS (CEIT) [ES/ES]; Paseo de Manuel Lardizabal, 15 E-20018 San Sebastián (Guipuzcoa), ES (AllExceptUS)
  • AÑORGA GÓMEZ, Larraitz [ES/ES]; ES (UsOnly)
  • ARANA ALONSO, Sergio [ES/ES]; ES (UsOnly)
Inventores
  • AÑORGA GÓMEZ, Larraitz; ES
  • ARANA ALONSO, Sergio; ES
Mandatarios
  • VEIGA SERRANO, Mikel; Balmes, 180- 4°- 2ª E-08006 Barcelona, ES
Datos de prioridad
P20090211805.11.2009ES
Idioma de publicación Español (ES)
Idioma de solicitud Español (ES)
Estados designados
Título
(EN) THIN-FILM REFERENCE PSEUDO-ELECTRODE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(ES) PSEUDO-ELECTRODO DE REFERENCIA DE PELÍCULA DELGADA Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN
(FR) PSEUDO-ÉLECTRODE DE RÉFÉRENCE DE COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Resumen
(EN)
Thin-film reference pseudo-electrode and method for the production thereof, in which the reference pseudo-electrode (1) comprises a substrate (2) constituted by an oxidized silicon wafer on which a single thin film (3) of silver, which has a thickness of between 100 nm and 1500 nm, is directly deposited using the sputtering technique.
(ES)
Pseudo-electrodo de referencia de película delgada y procedimiento para su fabricación, en donde el pseudo-electrodo de referencia (1) se compone de un sustrato (2) constituido por una oblea de silicio oxidada, sobre la que directamente está depositada mediante la técnica de sputtering una única película delgada de plata (3), la cual presenta un espesor comprendido entre 100 nm y 1500 nm.
(FR)
La présente invention concerne une pseudo-électrode de référence de couche mince et un procédé de fabrication correspondant. Selon l'invention, la pseudo-électrode de référence (1) est composée d'un substrat (2) constitué d'une tranche de silicium oxydée sur laquelle une seule couche mince d'argent (3) présentant une épaisseur située entre 100 nm et 1500 nm est directement déposée par pulvérisation cathodique (sputtering).
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