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1. (WO2000022448) SENSOR MAGNETICO PRODUCIDO POR UNA CONSTRICCION
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

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Nº de publicación:    WO/2000/022448    Nº de la solicitud internacional:    PCT/ES1999/000315
Fecha de publicación: 20.04.2000 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 01.10.1999
Se presentó la solicitud en virtud del Capítulo II:    08.05.2000    
CIP:
G01R 33/09 (2006.01), G11C 11/14 (2006.01)
Solicitantes: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS [ES/ES]; Calle Serrano, 117, E-28006 Madrid (ES) (Todos excepto los EE.UU.).
FISINTEC, S.L. [ES/ES]; Calle Ruperto Chapi, 19, E-28100 Alcobendas (ES) (Todos excepto los EE.UU.).
GARCIA GARCIA, Nicolás [ES/ES]; (ES) (Únicamente los EE.UU.).
ROHRER, Hans, Heinrich [CH/ES]; (ES) (Únicamente los EE.UU.).
MUÑOZ SANCHEZ, Manuel [ES/ES]; (ES) (Únicamente los EE.UU.).
ZHAO, Yuwen [CN/ES]; (ES) (Únicamente los EE.UU.)
Personas inventoras: GARCIA GARCIA, Nicolás; (ES).
ROHRER, Hans, Heinrich; (ES).
MUÑOZ SANCHEZ, Manuel; (ES).
ZHAO, Yuwen; (ES)
Mandataria/o: UNGRIA LOPEZ, Javier; Avenida Ramón y Cajal, 78, E-28043 Madrid (ES)
Datos de prioridad:
P 9802091 08.10.1998 ES
Título (EN) MAGNETIC SENSOR PRODUCED BY CONSTRICTION
(ES) SENSOR MAGNETICO PRODUCIDO POR UNA CONSTRICCION
(FR) CAPTEUR MAGNETIQUE OBTENU PAR CONSTRICTION
Resumen: front page image
(EN)The electric resistance of a magnetic constriction (M1, M2) varies if the magnetic status of one of the constriction sides changes. This resistance variation may exceed 100 % at room temperature. The invention proposes to use this effect to detect the magnetic status of a small magnetic particle, M3, as a magnetic storage bit, which affects the magnetic status on one side of the constriction (M1 in fig. 2). The invention also proposes to read the magnetic status of a small particle, M3, by using the particle as one side of the constriction (fig. 3).
(ES)La resistencia eléctrica de una constricción magnética (M1, M2) varía si el estado magnético de uno de los lados de la constricción cambia. Esta variación de resistencia puede exceder el 100 % a temperatura ambiente. Se propone usar este efecto para detectar el estado magnético de una partícula magnética pequeña, M3, como un bit magnético de almacenamiento, que afecta al estado magnético de un lado de la constricción (M1 en la Fig. 2). Se propone tambien leer el estado magnético de una partícula pequeña, M3, usando la partícula como un lado de la constricción (Fig. 3).
(FR)La résistance électrique d'une constriction magnétique (M1, M2) varie si l'état magnétique d'un des côtés de la constriction change. Cette variation de résistance peut dépasser 100 % à une température ambiante. L'invention vise à utiliser cet effet pour détecter l'état magnétique d'une petite particule magnétique (M3), en tant que bit magnétique de stockage, qui affecte l'état magnétique d'un côté de la constriction (M1 dans la fig. 2). L'invention vise aussi à lire l'état magnétique d'une petite particule (M3) en utilisant la particule comme côté de la constriction.
Estados designados: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Idioma de publicación: español (ES)
Idioma de la solicitud: español (ES)