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1. US20160147582 - Read level grouping for increased flash performance

Oficina Estados Unidos de América
Número de solicitud 14664768
Fecha de la solicitud 20.03.2015
N.º de publicación 20160147582
Fecha de publicación 26.05.2016
Número de concesión 09720754
Fecha de concesión 01.08.2017
Tipo de publicación B2
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
34
Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención
G FISICA
06
COMPUTO; CALCULO; CONTEO
F
TRATAMIENTO DE DATOS DIGITALES ELECTRICOS
11
Detección de errores; Corrección de errores; Monitorización del funcionamiento
07
Respuesta ante la aparición de un defecto, p. ej. tolerancia ante fallos
G FISICA
06
COMPUTO; CALCULO; CONTEO
F
TRATAMIENTO DE DATOS DIGITALES ELECTRICOS
12
Acceso, direccionamiento o asignación en sistemas o arquitecturas de memoria
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
8
Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital
14
Organización de líneas de palabras; Disposición de líneas de palabras
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
08
Circuitos de direccionamiento; Descodificadores; Circuitos de control de líneas de palabras
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
02
Detección o localización de circuitos auxiliares defectuosos, p. ej. contadores de refresco defectuosos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
52
Protección de los contenidos de la memoria; Detección de errores en los contenidos de la memoria
G11C 16/34
G06F 11/07
G06F 12/00
G11C 8/14
G11C 11/56
G11C 16/08
CPC
G06F 11/076
G06F 11/073
G06F 11/079
G06F 11/0793
G06F 12/00
G11C 8/14
Solicitantes HGST Netherlands B.V.
Western Digital Technologies, Inc.
Inventores Seyhan Karakulak
Anthony Dwayne Weathers
Richard David Barndt
Mandatarios McDermott Will & Emery LLP
Título
(EN) Read level grouping for increased flash performance
Resumen
(EN)

A table of error counts is generated based on reading wordlines of a flash memory device, the table storing an error count for each combination of wordline and respective read level voltage used to read the wordlines. A plurality of offset wordline groups are generated based on the table of error counts, with each group associating a different read level offset voltage with a plurality of wordline addresses. A storage device is configured to read memory cells using a read level offset voltage of a generated offset wordline group associated with a wordline address of the memory cells to be read. After a predetermined point in a life cycle of a respective memory block, the table is regenerated and plurality of offset wordline groups are regenerated based the regenerated table of error counts.