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1. (US20160018446) Gate drive under-voltage detection

专利局 : 美国
申请号: 14331438 申请日: 15.07.2014
公布号: 20160018446 公布日: 21.01.2016
授权号: 09322852 授权日: 26.04.2016
公布类型: B2
国际专利分类:
H03K 17/00
G01R 19/165
H02M 1/32
H02M 1/08
H02M 7/5387
H02M 3/158
H 电学
03
基本电子电路
K
脉冲技术
17
电子开关或选通,即不通过通断接触的
G PHYSICS
01
用于测量的传感器,如敏感元件
R
测量电变量;测量磁变量
19
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
165
指示电流或电压高于或低于预定值,或者是处于预定的数值范围之内或之外
H 电学
02
发电、变电或配电
M
用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
1
变换装置的零部件
32
除自动断开以外的用于保护变换器的装置
H 电学
02
发电、变电或配电
M
用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
1
变换装置的零部件
08
为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H 电学
02
发电、变电或配电
M
用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
7
交流功率输入变换为直流功率输出;直流功率输入变换为交流功率输出
42
不可逆的直流功率输入变换为交流功率输出的
44
利用静态变换器的
48
应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的
53
利用需要连续应用控制信号的三极管或晶体管器件的
537
仅用半导体器件的,例如,单开关脉冲逆变器
5387
在桥式连接中的
H 电学
02
发电、变电或配电
M
用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
3
直流功率输入变换为直流功率输出
02
没有中间变换为交流的
04
用静态变换器的
10
应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的
145
应用需要连续使用控制信号的三极管或晶体管式的器件的
155
仅用半导体器件的
156
带有自动控制输出电压或电流的,例如开关调节器
158
含有多个半导体器件作为单个负载的最终控制器件
申请人: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC
发明人: Lihua Chen
Dong Cao
Yan Zhou
Craig Rogers
代理人: David B. Kelley
MacMillan, Sobanski & Todd, LLC
优先权数据:
标题: (EN) Gate drive under-voltage detection
摘要: front page image
(EN)

Gate drive faults are detected for an inverter which comprises a phase switch having an insulated gate, such as an IGBT. A complementary transistor pair is adapted to receive a supply voltage and a pulse-width modulated (PWM) signal to alternately charge and discharge the insulated gate. A comparator compares the voltage at the insulated gate with a reference voltage representing a gate drive fault to generate a first logic signal. A latch samples the first logic signal when the PWM signal has a value corresponding to charging the insulated gate. A logic circuit inhibits charging of the insulated gate when the latched logic signal indicates the gate drive fault. An insulated gate voltage less than the reference voltage is indicative of an under-voltage fault as well as other device failures of the IGBT or the complementary transistors.