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1. (US20110318857) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

专利局 : 美国
申请号: 13219118 申请日: 26.08.2011
公布号: 20110318857 公布日: 29.12.2011
授权号: 09343622 授权日: 17.05.2016
公布类型: B2
国际专利分类:
H01L 33/12
H01L 33/00
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
02
以半导体为特征的
12
具有一个应力弛豫结构,例如缓冲层
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
申请人: Suk Hun Lee
LG INNOTEK CO., LTD.
发明人: Suk Hun Lee
代理人: Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
优先权数据: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
标题: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
摘要: front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.


也发表为:
EP1829122JP2008526012US20080142781CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374