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1. (US20060197129) Buried and bulk channel finFET and method of making the same

专利局 : 美国
申请号: 11073330 申请日: 03.03.2005
公布号: 20060197129 公布日: 07.09.2006
公布类型: A1
国际专利分类:
H01L 29/66
H01L 29/94
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
86
只能通过对一个或多个通有待整流,放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的
92
有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
94
金属—绝缘体—半导体,例如MOS
申请人: TriQuint Semiconductor, Inc.
发明人: Wohlmuth Walter A.
代理人: Mr. Joseph Pugh;TriQuint Semiconductor
优先权数据:
标题: (EN) Buried and bulk channel finFET and method of making the same
摘要: front page image
(EN)

One embodiment of a fin-field effect transistor includes a material stack including a non-inverting su surface channel, a fin of semiconductor material positioned on the material stack, the fin including first and second opposing side surfaces, and a gate electrode positioned on the first and second opposing side surfaces of the fin.