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1. (EP2779247) High electron mobility semiconductor device and manufacturing method therefor

专利局 : 欧洲专利局 (EPO)
申请号: 14159886 申请日: 14.03.2014
公布号: 2779247 公布日: 17.09.2014
公布类型: A3
指定国: AL,AT,BA,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LI,LT,LU,LV,MC,ME,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR
国际专利分类:
H01L 29/778
H01L 21/338
H01L 29/04
H01L 29/06
H01L 29/20
H01L 29/205
H01L 29/40
H01L 29/417
H01L 29/423
H01L 29/872
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
778
带有二维载流子气沟道的,如HEMT
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
338
带有肖特基栅的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
02
按其半导体本体的特征区分的
04
按其晶体结构区分的,例如多晶的、立方体的或晶面特殊取向的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
02
按其半导体本体的特征区分的
06
按其形状区分的;按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
02
按其半导体本体的特征区分的
12
按其构成材料的特征区分的
20
除掺杂材料或其他杂质外,只包括AⅢBⅤ化合物的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
02
按其半导体本体的特征区分的
12
按其构成材料的特征区分的
20
除掺杂材料或其他杂质外,只包括AⅢBⅤ化合物的
201
包括两种或更多种化合物的
205
在不同半导体区域中的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
40
按其电极特征区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
40
按其电极特征区分的
41
以其形状、相对尺寸或位置为特征的
417
通有待整流、放大或切换电流的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
40
按其电极特征区分的
41
以其形状、相对尺寸或位置为特征的
423
不通有待整流、放大或切换电流的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
86
只能通过对一个或多个通有待整流,放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的
861
二极管
872
肖特基二极管
CPC:
H01L 29/7783
H01L 21/845
H01L 27/0688
H01L 27/0886
H01L 27/1211
H01L 29/045
H01L 29/0615
H01L 29/0657
H01L 29/2003
H01L 29/205
H01L 29/402
H01L 29/404
H01L 29/407
H01L 29/4175
H01L 29/41791
H01L 29/42316
H01L 29/4236
H01L 29/42376
H01L 29/66431
H01L 29/66462
H01L 29/66795
H01L 29/778
H01L 29/7786
H01L 29/7787
H01L 29/7789
H01L 29/785
H01L 29/872
申请人: SEMICONDUCTOR COMPONENTS IND LLC
发明人: PADMANABHAN BALAJI
VENKATRAMAN PRASAD
PARSEY JR JOHN
SALIH ALI
优先权数据: 201361786570 15.03.2013 US
201414203299 10.03.2014 US
标题: (DE) Halbleiterbauelement mit hoher Elektronenbeweglichkeit und Herstellungsverfahren dafür
(EN) High electron mobility semiconductor device and manufacturing method therefor
(FR) Dispositif semi-conducteur à haute mobilité d'électrons et procédé de fabrication associé
摘要: front page image
(EN) In one embodiment, Group III-nitride materials are used to form a semiconductor device. A fin structure is formed in the Group III-nitride material, and a gate structure (27), source electrodes (36) and drain electrodes (37) are formed in spaced relationship to the fin structure. The fin structure provides both polar and semi-polar 2DEG regions. In one embodiment, the gate structure is configured to control current flow in the polar 2DEG region. Shield conductor layers (38) are included above the gate structure and in spaced relationship with drain regions of the semiconductor device.