此应用程序的某些内容目前无法使用。
如果这种情况持续存在,请联系我们反馈与联系
1. (EP1935027) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

专利局 : 欧洲专利局 (EPO)
申请号: 06798504 申请日: 03.10.2006
公布号: 1935027 公布日: 25.06.2008
公布类型: B1
指定国: DE,FI,FR,GB,NL
专利合作条约参考号: 申请号:JP2006320154;公布号: 单击查看数据
国际专利分类:
H01L 29/786
H01L 51/00
H01L 51/10
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
05
专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
10
器件的零部件
CPC:
H01L 29/7869
H01L 29/41733
H01L 51/0097
H01L 51/105
H01L 2251/5338
Y02E 10/549
Y02P 70/521
申请人: SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人: HONDA TATSUYA
优先权数据: 2005300825 14.10.2005 JP
2006320154 03.10.2006 JP
标题: (DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
摘要: front page image
(EN) An object is to obtain a semiconductor device with improved characteristics by reducing contact resistance of a semiconductor film with electrodes or wirings, and improving coverage of the semiconductor film and the electrodes or wirings. The present invention relates to a semiconductor device including a gate electrode over a substrate, a gate insulating film over the gate electrode, a first source or drain electrode over the gate insulating film, an island-shaped semiconductor film over the first source or drain electrode, and a second source or drain electrode over the island-shaped semiconductor film and the first source or drain electrode. Further, the second source or drain electrode is in contact with the first source or drain electrode, and the island-shaped semiconductor film is sandwiched between the first source or drain electrode and the second source or drain electrode. Moreover, the present invention relates to a manufacturing method of the semiconductor device.
(FR) La présente invention concerne un objet pour obtenir un dispositif à semi-conducteurs avec des caractéristiques améliorées en réduisant la résistance de contact d'un film à semi-conducteurs avec des électrodes ou des câblages et en améliorant la couverture du film à semi-conducteurs et les électrodes ou les câblages. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une électrode de grille sur un substrat, un film d'isolation de grille sur l'électrode de grille, une première électrode source ou drain sur le film d'isolation de grille, un film à semi-conducteurs en forme d'îlot sur la première électrode source ou drain, et une seconde électrode source ou drain sur le film à semi-conducteurs en forme d'îlot et la première électrode source ou drain. De plus, la seconde électrode source ou drain est en contact avec la première et le film à semi-conducteurs en forme d'îlot est enserré entre la première et la seconde électrode source ou drain. De plus, la présente invention a trait à un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs.
也发表为:
JP2007134687US20070087487JP2013016861CN101278403JP2014103418JP2015144312
WO/2007/043493