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1. (CN104051520) 高电子迁移率的半导体器件及其方法

专利局 : 中国
申请号: 201410172703.2 申请日: 14.03.2014
公布号: 104051520 公布日: 17.09.2014
授权号: 104051520 授权日: 17.07.2018
公布类型: B
国际专利分类:
H01L 29/778
H01L 29/06
H01L 29/40
H01L 21/335
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
778
带有二维载流子气沟道的,如HEMT
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
02
按其半导体本体的特征区分的
06
按其形状区分的;按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
40
按其电极特征区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
申请人: 半导体元件工业有限责任公司
发明人: B·帕德玛纳伯翰
P·温卡特拉曼
小J·M·帕西
A·萨利赫
代理人: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
优先权数据: 14/203,299 10.03.2014 US
61/786,570 15.03.2013 US
标题: (EN) High electron mobility semiconductor device and manufacturing method therefor
(ZH) 高电子迁移率的半导体器件及其方法
摘要: front page image
(EN) The invention relates to a high electron mobility semiconductor device and a manufacturing method therefor. In one embodiment, Group III-nitride materials are used to form a semiconductor device. A fin structure is formed in the Group III-nitride material, and a gate structure, source electrodes and drain electrodes are formed in spaced relationship to the fin structure. The fin structure provides both polar and semi-polar 2DEG regions. In one embodiment, the gate structure is configured to control current flow in the polar 2DEG region. Shield conductor layers are included above the gate structure and in spaced relationship with drain regions of the semiconductor device.
(ZH) 本发明涉及高电子迁移率的半导体器件及其方法。在一个实施例中,III族‑氮化物材料用于形成半导体器件。鳍形结构用III族‑氮化物材料形成,且以与鳍形结构分离的关系形成栅结构、源电极和漏电极。该鳍形结构提供极化和半极化的2DEG区域两者。在一个实施例中,栅结构配置为控制极化的2DEG区域中的电流。屏蔽导体层被包括在栅结构上方并与半导体器件的漏区处于分离关系。