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1. (CN104011868) Ⅲ族‑N纳米线晶体管

专利局 : 中国
申请号: 201180075624.4 申请日: 19.12.2011
公布号: 104011868 公布日: 27.08.2014
授权号: 104011868 授权日: 15.02.2017
公布类型: B
专利合作条约参考号: 申请号:PCTUS2011065919;公布号: 单击查看数据
国际专利分类:
H01L 29/78
H01L 21/336
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
336
带有绝缘栅的
CPC:
H01L 29/158
B82Y 10/00
H01L 21/02603
H01L 23/66
H01L 27/0605
H01L 27/0886
H01L 29/045
H01L 29/0669
H01L 29/0673
H01L 29/0676
H01L 29/068
H01L 29/2003
H01L 29/205
H01L 29/42392
H01L 29/66431
H01L 29/66462
H01L 29/66469
H01L 29/66522
H01L 29/66742
H01L 29/775
H01L 29/778
H01L 29/7786
H01L 29/785
H01L 29/78618
H01L 29/78681
H01L 29/78696
H01L2223/6677
Y10S 977/938
申请人:
发明人:
优先权数据:
标题: (EN) group III-N nanowire transistors
(ZH) Ⅲ族‑N纳米线晶体管
摘要: front page image
(EN) A group III-N nanowire is disposed on a substrate. A longitudinal length of the nanowire is defined into a channel region of a first group III-N material, a source region electrically coupled with a first end of the channel region, and a drain region electrically coupled with a second end of the channel region. A second group III-N material on the first group III-N material serves as a charge inducing layer, and/or barrier layer on surfaces of nanowire. A gate insulator and/or gate conductor coaxially wraps completely around the nanowire within the channel region. Drain and source contacts may similarly coaxially wrap completely around the drain and source regions.
(ZH) Ⅲ族‑N纳米线设置于衬底上。纵向长度的纳米线被限定在第一Ⅲ族‑N材料的沟道区中,源极区与沟道区的第一端电耦合,并且漏极区与沟道区的第二端电耦合。在第一Ⅲ族‑N材料上的第二Ⅲ族‑N材料用作纳米线表面上的电荷诱导层,和/或势垒层。栅极绝缘体和/或栅极导体在沟道区内完全同轴地环绕纳米线。漏极触点和源极触点可以类似地完全同轴地环绕漏极区和源极区。