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1. (WO2019068094) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION TECHNIQUES
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公布号: WO/2019/068094 国际申请号: PCT/US2018/053780
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 01.10.2018
国际专利分类:
H01L 45/00 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
45
无电位跃变势垒或表面势垒的,专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件,例如介电三极管;奥氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
申请人:
CROSSBAR, INC. [US/US]; 3200 Patrick Henry Drive, Suite 110 Santa Clara, California 95054, US
发明人:
JO, Sung-Hyun; US
NARAYANAN, Sundar; US
GU, Zhen; US
代理人:
CHO, Steve Y.; US
优先权数据:
62/566,15429.09.2017US
标题 (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION TECHNIQUES
(FR) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE ET TECHNIQUES DE FABRICATION
摘要:
(EN) A self-aligned memory device includes a conductive bottom plug disposed within an insulating layer and having a coplanar top surface, a self-aligned planar bottom electrode disposed upon the coplanar top surface and having a thickness within a range of 50 Angstroms to 200 Angstroms, a planar switching material layer disposed upon the self-aligned planar bottom electrode, a planar active metal material layer disposed upon the planar switching material layer and a planar top electrode disposed above the planar active metal material layer, wherein the self-aligned planar bottom electrode, the planar switching material layer, the planar active metal material layer, and the planar top electrode form a pillar-like structure above the insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire auto-aligné comprenant une fiche inférieure conductrice, disposée à l'intérieur d'une couche isolante et ayant une surface supérieure coplanaire, une électrode inférieure plane auto-alignée, disposée sur la surface supérieure coplanaire et ayant une épaisseur dans une plage de 50 angströms à 200 angströms, une couche plane de matériau de commutation, disposée sur l'électrode inférieure plane auto-alignée, une couche plane de matériau métallique actif, disposée sur la couche plane de matériau de commutation et une électrode supérieure plane, disposée au-dessus de la couche plane de matériau métallique actif, l'électrode inférieure plane auto-alignée, la couche plane de matériau de commutation, la couche plane de matériau métallique actif et l'électrode supérieure plane formant une structure de type pilier au-dessus de la couche isolante.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)