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1. (WO2019068012) METHOD AND APPARATUS FOR SPECIFYING READ VOLTAGE OFFSETS FOR A READ COMMAND
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公布号: WO/2019/068012 国际申请号: PCT/US2018/053590
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 28.09.2018
国际专利分类:
G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/30 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01)
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
06
辅助电路,例如,用于写入存储器的
26
读出或读电路;数据输出电路
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
06
辅助电路,例如,用于写入存储器的
30
供电电路
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
申请人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
发明人:
MADRASWALA, Aliasgar S.; US
GUO, Xin; US
PRABHU, Naveen Vittal; US
DU, Yu; US
SULE, Purval Shyam; US
代理人:
CASPER, Derek; US
优先权数据:
15/721,35129.09.2017US
标题 (EN) METHOD AND APPARATUS FOR SPECIFYING READ VOLTAGE OFFSETS FOR A READ COMMAND
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR SPÉCIFIER DES DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE POUR UNE COMMANDE DE LECTURE
摘要:
(EN) In one embodiment, an apparatus comprises a memory array and a controller. The controller is to receive a first read command specifying a read voltage offset profile identifier; identify a read voltage offset profile associated with the read voltage offset profile identifier, the read voltage offset profile comprising at least one read voltage offset; and perform a first read operation specified by the first read command using at least one read voltage adjusted according to the at least one read voltage offset of the read voltage offset profile.
(FR) Selon un mode de réalisation, l'invention concerne une matrice mémoire et un contrôleur. Le contrôleur est destiné à recevoir une première commande de lecture spécifiant un identifiant de profil de décalage de tension de lecture ; à identifier un profil de décalage de tension de lecture associé à l'identifiant de profil de décalage de tension de lecture, le profil de décalage de tension de lecture comprenant au moins un décalage de tension de lecture ; et à effectuer une première opération de lecture spécifiée par la première commande de lecture à l'aide d'au moins une tension de lecture ajustée selon le ou les décalages de tension de lecture du profil de décalage de tension de lecture.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)