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1. (WO2019066978) CONDUCTIVE VIA AND METAL LINE END FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/066978 国际申请号: PCT/US2017/054641
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 30.09.2017
国际专利分类:
H01L 21/768 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
71
限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造
768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
申请人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
WALLACE, Charles H. [US/US]; US
PATEL, Reken [US/US]; US
PARK, Hyunsoo [KR/US]; US
HARAN, Mohit K. [IN/US]; US
BASU, Debashish [IN/US]; US
WARD, Curtis W. [US/US]; US
BRAIN, Ruth A. [US/US]; US
发明人:
WALLACE, Charles H.; US
PATEL, Reken; US
PARK, Hyunsoo; US
HARAN, Mohit K.; US
BASU, Debashish; US
WARD, Curtis W.; US
BRAIN, Ruth A.; US
代理人:
PUGH, Joseph A.; US
COFIELD, Michael A.; US
BLANK, Eric S.; US
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
优先权数据:
标题 (EN) CONDUCTIVE VIA AND METAL LINE END FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM
(FR) TROU D'INTERCONNEXION CONDUCTEUR ET FABRICATION D'EXTRÉMITÉ DE LIGNE MÉTALLIQUE ET STRUCTURES RÉSULTANTES
摘要:
(EN) Conductive via and metal line end fabrication is described. In an example, an interconnect structure includes a first inter-layer dielectric (ILD) on a hardmask layer, where the ILD includes a first ILD opening and a second ILD opening. The interconnect structure further includes an etch stop layer (ESL) on the ILD layer, where the ESL includes a first ESL opening aligned with the first ILD opening to form a first via opening, and where the ESL layer includes a second ESL opening aligned with the second ILD opening. The interconnect structure further includes a first via in the first via opening, a second ILD layer on the first ESL, and a metal line in the second ILD layer, where the metal line is in contact with the first via, and where the metal line includes a first metal opening, and where the metal line includes a second metal opening aligned with the second ILD opening and the ESL opening to form a second via opening. The interconnect structure further includes a metal line end in the first metal opening and further includes a second via in the metal line, where the second via is in the second via opening.
(FR) L'invention concerne un trou d'interconnexion conducteur et une fabrication d'extrémité de ligne métallique. Dans un exemple, une structure d'interconnexion comprend un premier diélectrique intercouche (ILD) sur une couche de masque dur, l'ILD comprenant une première ouverture ILD et une seconde ouverture ILD. La structure d'interconnexion comprend en outre une couche d'arrêt de gravure (ESL) sur la couche ILD, l'ESL comprenant une première ouverture d'ESL alignée avec la première ouverture ILD pour former une première ouverture d'interconnexion, et où la couche d'ESL comprend une seconde ouverture d'ESL alignée avec la seconde ouverture ILD. La structure d'interconnexion comprend en outre un premier trou d'interconnexion dans la première ouverture d'interconnexion, une seconde couche ILD sur la première ESL, et une ligne métallique dans la seconde couche ILD, la ligne métallique étant en contact avec le premier trou d'interconnexion, et la ligne métallique comprenant une première ouverture métallique, et la ligne métallique comprenant une seconde ouverture métallique alignée avec la seconde ouverture ILD et l'ouverture d'ESL pour former une seconde ouverture de trou d'interconnexion. La structure d'interconnexion comprend en outre une extrémité de ligne métallique dans la première ouverture métallique et comprend en outre un second trou d'interconnexion dans la ligne métallique, le second trou d'interconnexion étant dans la seconde ouverture de trou d'interconnexion.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)