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1. (WO2019066855) INTERCONNECTS HAVING A PORTION WITHOUT A LINER MATERIAL AND RELATED STRUCTURES, DEVICES, AND METHODS
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公布号: WO/2019/066855 国际申请号: PCT/US2017/054018
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 28.09.2017
国际专利分类:
H01L 21/768 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
71
限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造
768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
申请人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
发明人:
CHANDHOK, Manish; US
SCHENKER, Richard; US
TRONIC, Tristan; US
代理人:
BOOTH, Brett C.; US
优先权数据:
标题 (EN) INTERCONNECTS HAVING A PORTION WITHOUT A LINER MATERIAL AND RELATED STRUCTURES, DEVICES, AND METHODS
(FR) INTERCONNEXIONS AYANT UNE PORTION SANS MATÉRIAU DE REVÊTEMENT ET STRUCTURES, DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
摘要:
(EN) Integrated circuit (IC) structures, computing devices, and related methods are disclosed. An IC structure includes an interlayer dielectric (ILD), an interconnect, and a liner material separating the interconnect from the ILD. The interconnect includes a first end extending to or into the ILD and a second end opposite the first end. A second portion of the interconnect extending from the second end to a first portion of the interconnect proximate to the first end does not include the liner material thereon. A method of manufacturing an IC structure includes removing an ILD from between interconnects, applying a conformal hermetic liner, applying a carbon hard mask (CHM) between the interconnects, removing a portion of the CHM, removing the conformal hermetic liner to a remaining CHM, and removing the exposed portion of the liner material to the remaining CHM to expose the second portion of the interconnects.
(FR) L'invention concerne des structures de circuit intégré (CI), des dispositifs informatiques et des procédés associés. Une structure de CI comprend un diélectrique intercouche (ILD), une interconnexion et un matériau de revêtement qui sépare l'interconnexion de l'ILD. L'interconnexion comprend une première extrémité qui s'étend vers ou dans l'ILD et une deuxième extrémité opposée à la première extrémité. Le matériau de revêtement n'est pas présent sur une deuxième portion de l'interconnexion qui s'étend de la deuxième extrémité à une première portion de l'interconnexion à proximité de la première extrémité. Un procédé de fabrication d'une structure de CI comprend l'enlèvement d'un ILD d'entre des interconnexions, l'application d'un revêtement hermétique conforme, l'application d'un masque dur de carbone (CHM) entre les interconnexions, l'enlèvement d'une portion du CHM, l'enlèvement du revêtement hermétique conforme d'un CHM restant, et l'enlèvement de la portion exposée du matériau de revêtement du CHM restant pour exposer la deuxième portion des interconnexions.
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公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)