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1. (WO2019064435) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
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公布号: WO/2019/064435 国际申请号: PCT/JP2017/035242
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 28.09.2017
国际专利分类:
H01L 21/223 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
22
杂质材料的扩散,例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料,电极材料;杂质材料的再分配,例如,不引入或去除过多的掺杂剂
223
应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
28
用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
申请人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
发明人:
出貝 求 DEGAI, Motomu; JP
芦原 洋司 ASHIHARA, Hiroshi; JP
优先权数据:
标题 (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
摘要:
(EN) [Problem] To suppress the diffusion of impurities from a silicon film to which the impurities are added, to a metal film formed thereon. [Solution] The present invention includes performing: a step for supplying a dopant-containing gas which includes a dopant to a substrate on which a metal film and a film other than the metal film are formed, on a film to which the dopant has been added; and a step for removing the dopant-containing gas from above the substrate, wherein the dopant is selectively added to the metal film.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de supprimer la diffusion d'impuretés d'un film de silicium auquel les impuretés sont ajoutées, vers un film métallique formé sur ce dernier. La solution de l'invention comprend : une étape consistant à fournir un gaz contenant un dopant qui renferme un dopant à un substrat sur lequel sont formés un film métallique et un film autre que le film métallique, sur un film auquel le dopant a été ajouté ; et une étape d'élimination du gaz contenant un dopant sur le substrat, le dopant étant sélectivement ajouté au film métallique.
(JA) 課題:不純物を添加したシリコン膜から、その上に形成された金属膜への不純物が拡散してしまうことを抑制する。 解決手段:ドーパントが添加された膜の上に、金属膜と、当該金属膜以外の膜が形成された基板に対して、前記ドーパントを含むドーパント含有ガスを供給する工程と、前記基板上から前記ドーパント含有ガスを除去する工程と、を行い、前記金属膜に前記ドーパントを選択添加する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)