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1. (WO2019063411) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
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公布号: WO/2019/063411 国际申请号: PCT/EP2018/075486
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 20.09.2018
国际专利分类:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/024 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
S
利用受激发射的器件
5
半导体激光器
02
基本上不涉及激光作用的结构零件或组件
022
安装座;外壳
H 电学
01
基本电气元件
S
利用受激发射的器件
5
半导体激光器
02
基本上不涉及激光作用的结构零件或组件
024
冷却装置
H 电学
01
基本电气元件
S
利用受激发射的器件
5
半导体激光器
04
激励的方法或装置,例如泵激励
042
电激励
申请人:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
发明人:
BACHMANN, Alexander; DE
ENZMANN, Roland Heinrich; MY
MÜLLER, Michael; DE
代理人:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
优先权数据:
10 2017 122 330.426.09.2017DE
标题 (EN) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) DIODE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERLASERDIODE UND HALBLEITERBAUELEMENT
摘要:
(EN) The invention relates to a semiconductor laser diode (1) comprising: - a semiconductor layer sequence (2) having an active region (20) provided for generating radiation; - a radiation decoupling surface (10) which extends perpendicular to a main extension plane of the active region; - a main surface (11) which delimits the semiconductor layer sequence in the vertical direction; - a contact layer (3) which adjoins the main surface; and - a heat-dissipating layer (4), regions of which are arranged on a side of the contact layer facing away from the active region, wherein the contact layer is exposed in places for external electrical contact of the semiconductor laser diode. The invention also relates to a semiconductor component.
(FR) L'invention concerne une diode laser à semi-conducteur (1) comprenant une succession de couches semi-conductrices (2) présentant une zone active (20) destinée à générer un rayonnement ; une surface de sortie de rayonnement (10) qui s'étend perpendiculairement à un plan principal de la zone active ; une surface principale (11) qui délimite la succession de couches semi-conductrices dans la direction verticale ; une couche de contact (3) adjacente à la surface principale ; et une couche de dissipation thermique (4) qui est disposée par endroits sur un côté de la couche de contact opposé à la zone active, la couche de contact étant apparente par endroits pour permettre une mise en contact électrique externe de la diode laser à semi-conducteur. L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur.
(DE) Es wird eine Halbleiterlaserdiode (1) angegeben, mit - einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20); - einer Strahlungsauskoppelfläche (10), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs verläuft; - einer Hauptfläche (11), die die Halbleiterschichtenfolge in vertikaler Richtung begrenzt; - einer Kontaktschicht (3), die an die Hauptfläche angrenzt; und - einer wärmeableitenden Schicht (4), die bereichsweise auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Kontaktschicht angeordnet ist, wobei die Kontaktschicht stellenweise für eine externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterlaserdiode freiliegt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 德语 (DE)
申请语言: 德语 (DE)