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1. (WO2019063254) METHOD FOR DETERMINING PROPERTIES OF AN EUV SOURCE
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公布号: WO/2019/063254 国际申请号: PCT/EP2018/073903
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 05.09.2018
国际专利分类:
G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSICS
03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
7
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
20
曝光及其设备
申请人:
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
发明人:
LAUFER, Timo; DE
HAUF, Markus; DE
MÜLLER, Ulrich; DE
代理人:
RAUNECKER, Klaus, Peter; DE
优先权数据:
10 2017 217 266.528.09.2017DE
标题 (EN) METHOD FOR DETERMINING PROPERTIES OF AN EUV SOURCE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE PROPRIÉTÉS D'UNE SOURCE UVE
(DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG VON EIGENSCHAFTEN EINER EUV-QUELLE
摘要:
(EN) The invention relates to a method for determining at least one property of an EUV source (3) in a projection printing facility (1) for semiconductor lithography, according to which the property is determined on the basis of the electromagmetic radiation (14) emitted from the EUV source (3), a thermal load for a component (2) of the projection printing facility (1) being determined and the property being deduced on the basis of the determined thermal load.
(FR) L'invention concerne un procédé de détermination d'au moins une propriété d'une source UVE (3) dans une installation d'éclairage par projection (1) pour la lithographie de semi-conducteurs, la propriété étant déterminée au moyen du rayonnement électromagnétique (14) émis par la source UVE (3). Selon l'invention, une charge thermique est déterminée pour un composant (2) de l'installation d'éclairage par projection (1) et la propriété est déduite d'après la charge thermique déterminée.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung mindestens einer Eigenschaft einer EUV-Quelle (3) in einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie, wobei die Eigenschaft anhand der von der EUV-Quelle (3) ausgehenden elektromagnetischen Strahlung (14) ermittelt wird und wobei eine Thermallast für eine Komponente (2) der Projektionsbelichtungsanlage (1) ermittelt wird und anhand der ermittelten Thermallast auf die Eigenschaft geschlossen wird.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 德语 (DE)
申请语言: 德语 (DE)