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1. (WO2019063221) DEVICE FOR DEVIATING AND FOCUSING LIGHT
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公布号: WO/2019/063221 国际申请号: PCT/EP2018/072956
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 27.08.2018
国际专利分类:
G02B 27/56 (2006.01)
G PHYSICS
02
光学
B
光学元件、系统或仪器
27
其他光学系统;其他光学仪器
56
利用损耗波即非均匀波的光学
申请人:
THOMSON LICENSING [FR/FR]; 1-5, rue Jeanne d'Arc 92130 Issy-les-Moulineaux, FR
发明人:
BORISKIN, Artem; FR
SHRAMKOVA, Oksana; FR
BLONDE, Laurent; FR
代理人:
WINDAL, Gaëlle; FR
优先权数据:
17306276.126.09.2017EP
标题 (EN) DEVICE FOR DEVIATING AND FOCUSING LIGHT
(FR) DISPOSITIF DE DÉVIATION ET DE FOCALISATION DE LUMIÈRE
摘要:
(EN) The present disclosure concerns a device for generating and guiding nanojets beams from an incident electromagnetic wave on said device. The device is remarkable in that it comprises: - a first layer of a dielectric material having a first refractive index value (n1); - a second layer of a dielectric material having a second refractive index value (n2), wherein said second refractive index value is greater than said first refractive index value; and wherein a first boundary between said first and second layers comprises a first single step shape structure, said first single step shape structure being a change of level that is defined sensibly according to a first straight line being associated with an angle of inclination close to a first angle of inclination, wherein said device further comprising a dielectric element comprised in an embedding layer, said embedding layer being either said first layer or said second layer, said dielectric element having a refractive index (n3), higher than the one from said embedding layer, and wherein a second boundary between said dielectric element and said embedding layer comprises a second single step shape structure, said second single step shape structure being a change of level that is defined sensibly by a second straight line being associated with an angle of inclination close to a second angle of inclination, and wherein said second single step shape structure is positioned at the vicinity of said first single step shape structure for focusing nanojets beams generated by each of said first and second single step shape structures around a first focusing point.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de génération et de guidage de faisceaux de nano-jets à partir d'une onde électromagnétique incidente sur ledit dispositif. Le dispositif est remarquable en ce qu'il comprend : - une première couche d'un matériau diélectrique ayant une première valeur d'indice de réfraction (n1 ) ; - une seconde couche d'un matériau diélectrique ayant une seconde valeur d'indice de réfraction (n2), ladite seconde valeur d'indice de réfraction étant supérieure à ladite première valeur d'indice de réfraction ; et une première limite entre lesdites première et seconde couches comprenant une première structure de forme à un seul cran, ladite première structure de forme à un seul cran étant un changement de niveau qui est défini de manière sensible selon une première ligne droite qui est associée à un angle d'inclinaison proche d'un premier angle d'inclinaison, ledit dispositif comprenant en outre un élément diélectrique compris dans une couche d'enrobage, ladite couche d'enrobage étant soit ladite première couche soit ladite seconde couche, ledit élément diélectrique ayant un indice de réfraction (n3), supérieur à celui de ladite couche d'enrobage et une seconde limite entre ledit élément diélectrique et ladite couche d'enrobage comprenant une seconde structure de forme à un seul cran, ladite seconde structure de forme à un seul cran étant un changement de niveau qui est défini de manière sensible par une seconde ligne droite qui est associée à un angle d'inclinaison proche d'un second angle d'inclinaison et ladite seconde structure de forme à un seul cran étant positionnée à proximité de ladite première structure de forme à un seul cran pour focaliser des faisceaux de nano-jets générés par chacune desdites première et seconde structures de forme à un seul cran autour d'un premier point de focalisation.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)