此应用程序的某些内容目前无法使用。
如果这种情况持续存在,请联系我们反馈与联系
1. (WO2019063061) MATERIAL DEPOSITION ARRANGEMENT, VACUUM DEPOSITION SYSTEM AND METHODS THEREFOR
国际局存档的最新著录项目数据    提交意见

公布号: WO/2019/063061 国际申请号: PCT/EP2017/074358
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 26.09.2017
国际专利分类:
C23C 14/54 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01) ,C23C 14/12 (2006.01)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
54
镀覆工艺的控制或调节(一般控制或调节入G05)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
16
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积(CVD)工艺
44
以镀覆方法为特征的
455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
24
真空蒸发
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
56
连续镀覆的专用设备;维持真空的装置,例如真空锁定器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
50
专门适用于光发射的,如有机发光二极管 (OLED)或聚合物发光器件(PLED)
56
专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
06
以镀层材料为特征的
12
有机材料
申请人:
HOFMANN, Annabelle [DE/DE]; DE (US)
SAUER, Andreas [DE/DE]; DE (US)
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
发明人:
HOFMANN, Annabelle; DE
SAUER, Andreas; DE
代理人:
ZIMMERMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB; Josephspitalstr. 15 80331 München, DE
优先权数据:
标题 (EN) MATERIAL DEPOSITION ARRANGEMENT, VACUUM DEPOSITION SYSTEM AND METHODS THEREFOR
(FR) AGENCEMENT POUR DÉPÔT DE MATÉRIAU, SYSTÈME DE DÉPÔT SOUS VIDE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
摘要:
(EN) A material deposition arrangement for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber is described. The material deposition arrangement includes a first deposition source having one or more first openings; a second deposition source having one or more second openings; and a shutter arrangement having at least a first shutter configured to be movable by an angle to the one or more first openings; to the one or more second openings; and to a first park position.
(FR) La présente invention concerne un agencement pour dépôt de matériau permettant de déposer un matériau sur un substrat dans une chambre de dépôt sous vide. L'agencement de dépôt de matériau comprend une première source de dépôt ayant une ou plusieurs premières ouvertures ; une seconde source de dépôt ayant une ou plusieurs secondes ouvertures ; et un agencement d'obturateur ayant au moins un premier obturateur configuré pour être mobile d'un angle par rapport à la ou aux premières ouvertures ; à la ou aux secondes ouvertures ; et à une première position de stationnement.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)