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1. (WO2019060999) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
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公布号: WO/2019/060999 国际申请号: PCT/CA2018/051224
公布日: 04.04.2019 国际申请日: 28.09.2018
国际专利分类:
B82B 3/00 (2006.01) ,G06N 3/08 (2006.01) ,G01Q 60/24 (2010.01) ,G01Q 60/04 (2010.01)
B 作业;运输
82
超微技术
B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构;其制造或处理纳米
3
纳米结构的制造或处理
G PHYSICS
06
计算;推算;计数
N
基于特定计算模型的计算机系统
3
基于生物学模型的计算机系统
02
采用神经网络模型
08
学习方法
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
Q
SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING-PROBE MICROSCOPY [SPM]
60
Particular types of SPM [Scanning-Probe Microscopy] or apparatus therefor; Essential components thereof
24
AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
G PHYSICS
01
用于测量的传感器,如敏感元件
Q
扫描探针技术或设备;扫描探针技术的应用,例如,扫描探针显微术
60
特殊类型的SPM 或其设备;其基本组成
02
多个类型SPM,即包括两种或更多种SPM技术
04
与AFM 结合的STM
申请人:
QUANTUM SILICON INC. [CA/CA]; 11421 Saskatchewan Drive Edmonton, Alberta T6G 2M9, CA
发明人:
WOLKOW, Robert; CA
RASHIDI, Mohammad; CA
VINE, Wyatt; CA
DIENEL, Thomas; CA
LIVADARU, Lucian; CA
HUFF, Taleana; CA
RETALLICK, Jacob; CA
WALUS, Konrad; CA
代理人:
RIDOUT & MAYBEE LLP; 5500 North Service Road Suite 101 Burlington, Ontario L7L 6W6, CA
LEACH, Steven; CA
优先权数据:
62/564,73428.09.2017US
标题 (EN) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
(FR) INITIATION ET SURVEILLANCE DE L'ÉVOLUTION D'ÉLECTRONS INDIVIDUELS DANS DES STRUCTURES DÉFINIES PAR UN ATOME
摘要:
(EN) A method for the patterning and control of single electrons on a surface is provided that includes implementing scanning tunneling microscopy hydrogen lithography with a scanning probe microscope to form charge structures with one or more confined charges; performing a series of field-free atomic force microscopy measurements on the charge structures with different tip heights, where interaction between the tip and the confined charge are elucidated; and adjusting tip heights to controllably position charges within the structures to write a given charge state. The present disclose also provides a Gibb's distribution machine formed with the method for the patterning and control of single electrons on a surface. A multi bit true random number generator and neural network learning hardware formed with the above described method are also provided.
(FR) L'invention concerne un procédé destiné à la formation de motifs et la commande d'électrons individuels sur une surface, qui comprend la mise en œuvre d'une lithographie à l'hydrogène par microscopie à effet tunnel à balayage utilisant un microscope à sonde à balayage pour former des structures de charge comptant au moins une charge confinée ; la réalisation d'une série de mesures de microscopie à force atomique sans champ sur les structures de charge selon différentes hauteurs de pointe, l'interaction entre la pointe et la charge confinée étant élucidée ; et le réglage de hauteurs de pointe pour positionner de manière réglable des charges à l'intérieur des structures, pour écrire un état de charge donné. La présente invention concerne également une machine de distribution de Gibb, formée selon le procédé de formation de motifs et de commande d'électrons individuels sur une surface. L'invention concerne également un générateur de nombres aléatoires vrais multi-bits et un matériel d'apprentissage de réseau neuronal formé selon le procédé décrit ci-dessus.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)