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1. (WO2019050625) CIRCUITRY FOR WRITING TO AND READING FROM AN ARRAY OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/050625 国际申请号: PCT/US2018/042342
公布日: 14.03.2019 国际申请日: 16.07.2018
国际专利分类:
G11C 13/02 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 5/04 (2006.01)
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
13
特征在于使用不包括在G11C 11/00,G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器
02
使用其操作取决于化学变化的存储元件的数字存储器
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
5
包括在G11C 11/00组中的存储器零部件
02
存储元件的排列,例如,矩阵形式的排列
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
5
包括在G11C 11/00组中的存储器零部件
02
存储元件的排列,例如,矩阵形式的排列
04
存储元件的支架;存储元件在支架上的安装或固定
申请人:
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134, US
发明人:
TRAN, Hieu, Van; US
LY, Anh; US
VU, Thuan; US
HONG, Stanley; US
ZHOU, Feng; US
LIU, Xian; US
DO, Nhan; US
代理人:
YAMASHITA, Brent; US
优先权数据:
15/701,07111.09.2017US
标题 (EN) CIRCUITRY FOR WRITING TO AND READING FROM AN ARRAY OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
(FR) CIRCUIT D'ÉCRITURE SUR ET DE LECTURE À PARTIR D'UN RÉSEAU DE CELLULES DE MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE
摘要:
(EN) Numerous embodiments of circuitry for writing to and reading from resistive random access memory cells are disclosed. Various architectures and layouts for an array of resistive access memory cells also are disclosed.
(FR) Selon de nombreux modes de réalisation, l'invention concerne des circuits d'écriture sur et de lecture à partir de cellules de mémoire résistive à accès aléatoire. L'invention concerne également diverses architectures et agencements pour un réseau de cellules de mémoire à accès résistif.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)