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1. (WO2019050185) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
国际局存档的最新著录项目数据    提交意见

公布号: WO/2019/050185 国际申请号: PCT/KR2018/009356
公布日: 14.03.2019 国际申请日: 14.08.2018
国际专利分类:
H01L 31/0725 (2012.01) ,H01L 31/0376 (2006.01) ,H01L 31/0368 (2006.01) ,H01L 31/046 (2014.01) ,H01L 31/032 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
04
用作转换器件的
06
以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的
072
只是PN异质结型势垒的
0725
多结或叠层太阳能电池
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
0248
以其半导体本体为特征的
036
以其晶体结构或以结晶面的特殊取向为特征的
0376
包含非晶半导体的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
0248
以其半导体本体为特征的
036
以其晶体结构或以结晶面的特殊取向为特征的
0368
包含多晶半导体的
[IPC code unknown for H01L 31/046]
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
0248
以其半导体本体为特征的
0256
以材料为特征的
0264
无机材料
032
除掺杂或其他杂质外,只包含未列入H01L 31/0272至H01L 31/0312各组的化合物
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
18
专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
02
零部件
0224
电极
申请人:
엘지전자 주식회사 LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 서울시 영등포구 여의대로 128 128, Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 07336, KR
发明人:
이기원 LEE, Giwon; KR
권정효 KWON, Jeonghyo; KR
심구환 SHIM, Goo Hwan; KR
양영성 YANG, Youngsung; KR
代理人:
특허법인 대아 DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 서울시 강남구 역삼로 123 한양빌딩 3층 3F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 06243, KR
优先权数据:
10-2017-011346305.09.2017KR
10-2017-013404116.10.2017KR
标题 (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 태양전지 및 그 제조 방법
摘要:
(EN) The present invention relates to a solar cell wherein some of unit layers constituting the solar cell are simultaneously formed such that light transmittance is improved and a current leak is suppressed, through a tunnel junction technology, thereby enabling the solar cell to have excellent temperature characteristics and photoelectric conversion efficiency or materials of the unit layers constituting the solar cell are designed such that photoelectric conversion efficiency is maximized through current matching between solar cells.
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire dans laquelle certaines des couches unitaires constituant la cellule solaire sont formées simultanément de manière à améliorer le facteur de transmission lumineuse et à supprimer une fuite de courant, au moyen d'une technologie de jonction tunnel, ce qui permet à la cellule solaire de présenter d'excellentes caractéristiques de température et un excellent rendement de conversion photoélectrique, ou des matériaux des couches unitaires constituant la cellule solaire sont conçus de manière à maximiser le rendement de conversion photoélectrique par adaptation de courant entre cellules solaires.
(KO) 본 발명은 태양전지를 구성하는 단위 층들의 일부를 동시에 형성함으로써 터널 접합 기술에 의해 광투과도를 향상시키고 누설전류를 억제하며 우수한 온도 특성 및 광전 변환 효율을 가지거나 또는 태양전지를 구성하는 단위 층들의 재료를 설계하여 각 태양전지들 사이의 전류 매칭을 통해 광전 변환 효율을 극대화 한 태양전지에 관한 것이다.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 韩语 (KO)
申请语言: 韩语 (KO)