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1. (WO2019049718) AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR PREPARING SAME
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公布号: WO/2019/049718 国际申请号: PCT/JP2018/031674
公布日: 14.03.2019 国际申请日: 28.08.2018
国际专利分类:
H01L 31/107 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
08
其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
10
特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的,例如光敏晶体管
101
对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
102
仅以一个势垒或面垒为特征的
107
以雪崩模式工作的势垒,如雪崩光二极管
申请人:
日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116, JP
发明人:
名田 允洋 NADA, Masahiro; JP
松崎 秀昭 MATSUZAKI, Hideaki; JP
代理人:
山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki; JP
小池 勇三 KOIKE, Yuzo; JP
山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki; JP
优先权数据:
2017-17098806.09.2017JP
标题 (EN) AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR PREPARING SAME
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(JA) アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
摘要:
(EN) According to the present invention, an n-type semiconductor layer (102), a multiplication layer (103), an electric field control layer (104), a light absorption layer (105) and a p-type semiconductor layer (106) are formed on a growth substrate (101), and then the p-type semiconductor layer (106) is attached to a transfer substrate (107). Thereafter, the growth substrate (101) is removed, and the n-type semiconductor layer (102) is processed to have an area smaller than the multiplication layer (103).
(FR) Selon la présente invention, une couche semi-conductrice de type n (102), une couche de multiplication (103), une couche de commande de champ électrique (104), une couche d'absorption de lumière (105) et une couche semi-conductrice de type p (106) sont formées sur un substrat de croissance (101), puis la couche semi-conductrice de type p (106) est fixée à un substrat de transfert (107). Ensuite, le substrat de croissance (101) est retiré, et la couche semi-conductrice de type n (102) est traitée pour avoir une zone plus petite que la couche de multiplication (103).
(JA) n型半導体層(102)、増倍層(103)、電界制御層(104)、光吸収層(105)、p型半導体層(106)を成長基板(101)の上に形成した後で、p型半導体層(106)を転写基板(107)に貼り付ける。この後、成長基板(101)を除去し、n型半導体層(102)を、増倍層(103)より小さい面積に加工する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)