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1. (WO2019046326) READ VOLTAGE CALIBRATION BASED ON HOST IO OPERATIONS
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公布号: WO/2019/046326 国际申请号: PCT/US2018/048383
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 28.08.2018
国际专利分类:
G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/30 (2006.01)
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
06
辅助电路,例如,用于写入存储器的
26
读出或读电路;数据输出电路
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
06
辅助电路,例如,用于写入存储器的
30
供电电路
申请人:
RATNAM, Sampath [IN/US]; US
TANPAIROJ, Kulachet [US/US]; US
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
发明人:
RATNAM, Sampath; US
TANPAIROJ, Kulachet; US
MALSHE, Ashutosh; US
MUCHHERLA, Kishore Kumar; US
SINGIDI, Harish Reddy; US
FEELEY, Peter Sean; US
LUO, Ting; US
优先权数据:
15/689,74729.08.2017US
标题 (EN) READ VOLTAGE CALIBRATION BASED ON HOST IO OPERATIONS
(FR) ÉTALONNAGE DE TENSION DE LECTURE SUR LA BASE D'OPÉRATIONS ES HÔTES
摘要:
(EN) Devices and techniques for read voltage calibration of a flash-based storage system based on host IO operations are disclosed. In an example, a memory device includes a NAND memory array having groups of multiple blocks of memory cells, and a memory controller to optimize voltage calibration for reads of the memory array. In an example, the optimization technique includes monitoring read operations occurring to a respective block, identifying a condition to trigger a read level calibration based on the read operations, and performing the read level calibration for the respective block or a memory component that includes the respective block. In a further example, the calibration is performed based on a threshold voltage to read the respective block, which may be considered when the threshold voltage to read the respective block is evaluated within a sampling operation performed by the read level calibration.
(FR) L'invention concerne des dispositifs et des techniques pour l'étalonnage de tension de lecture d'un système de stockage basé sur flash sur la base d'opérations ES hôtes. Dans un exemple, un dispositif de mémoire comprend un réseau de mémoire NON-ET comportant des groupes de multiples blocs de cellules de mémoire, et un dispositif de commande de mémoire afin d'optimiser l'étalonnage de tension pour des lectures du réseau de mémoire. Dans un exemple, la technique d'optimisation comprend la surveillance d'opérations de lecture se produisant dans un bloc respectif, l'identification d'une condition pour déclencher un étalonnage de niveau de lecture sur la base des opérations de lecture, et la réalisation de l'étalonnage de niveau de lecture pour le bloc respectif ou un composant de mémoire qui comprend le bloc respectif. Dans un autre exemple, l'étalonnage est effectué sur la base d'une tension de seuil afin de lire le bloc respectif, ce qui peut être pris en compte lorsque la tension de seuil pour lire le bloc respectif est évaluée dans une opération d'échantillonnage effectuée par l'étalonnage de niveau de lecture.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)