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1. (WO2019046064) METHOD OF ETCHING MAGNETORESISTIVE STACK
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公布号: WO/2019/046064 国际申请号: PCT/US2018/047524
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 22.08.2018
国际专利分类:
H01L 43/12 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
43
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
12
专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
申请人:
EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5670 West Chandler Blvd. Suite 100 Chandler, AZ 85226, US
发明人:
NAGEL, Kerry, Joseph; US
AGGARWAL, Sanjeev; US
DESHPANDE, Sarin, A.; US
代理人:
CHANDRAN, Biju; US
优先权数据:
62/551,40029.08.2017US
标题 (EN) METHOD OF ETCHING MAGNETORESISTIVE STACK
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE PILE MAGNÉTORÉSISTIVE
摘要:
(EN) Magnetoresistive bit fabrication includes etching through at least a portion of a thickness of a surface region including a hard mask to create a first set of exposed areas in the form of multiple parallel strips extending in a first direction, etching through at least a portion of a thickness of the surface region to create a second set of exposed areas in the form of multiple parallel strips extending in a second direction, preferably transverse to the first direction, and etching through at least a portion of the thickness of the magnetoresistive stack through the first and second sets of exposed areas.
(FR) Selon l'invention, la fabrication de fragments magnétorésistifs consiste à effectuer une gravure à travers au moins une partie d'une épaisseur d'une région de surface comprenant un masque dur pour créer un premier ensemble de zones exposées sous forme de multiples bandes parallèles s'étendant dans une première direction, à effectuer une gravure à travers au moins une partie d'une épaisseur de la région de surface pour créer un second ensemble de zones exposées sous forme de multiples bandes parallèles s'étendant dans une seconde direction, de préférence transversale à la première direction, et à effectuer une gravure à travers au moins une partie de l'épaisseur de l'empilement magnétorésistif à travers les premier et second ensembles de zones exposées.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)