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1. (WO2019046050) MEMORY ARRAY RESET READ OPERATION
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公布号: WO/2019/046050 国际申请号: PCT/US2018/047359
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 21.08.2018
国际专利分类:
G11C 16/20 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G06F 12/02 (2006.01)
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
06
辅助电路,例如,用于写入存储器的
10
编程或数据输入电路
20
初始化;数据预置;芯片识别
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
06
辅助电路,例如,用于写入存储器的
26
读出或读电路;数据输出电路
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G PHYSICS
06
计算;推算;计数
F
电数字数据处理
12
在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配(信息存储本身入G11)
02
寻址或地址分配;地址的重新分配
申请人:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
发明人:
BINFET, Jeremy; US
HELM, Mark; US
FILIPIAK, William; US
HAWES, Mark; US
代理人:
HARRIS, Philip W.; US
优先权数据:
15/688,64528.08.2017US
标题 (EN) MEMORY ARRAY RESET READ OPERATION
(FR) OPÉRATION DE LECTURE DE RÉINITIALISATION DE RÉSEAU DE MÉMOIRE
摘要:
(EN) Systems, devices, and methods related to reset read are described. A reset read may be employed to initiate a transition of a portion of memory array into a first state or maintain a portion of memory array in a first state, such as a transient state. A reset read may provide a highly-parallelized, energy-efficient option to ensure memory blocks are in the first state. Various modes of reset read may be configured according to different input.
(FR) L'invention concerne des systèmes, des dispositifs et des procédés se rapportant à une lecture de réinitialisation. Une lecture de réinitialisation peut être utilisée pour initier une transition d'une partie du réseau de mémoire dans un premier état ou pour maintenir une partie du réseau de mémoire dans un premier état, tel qu'un état transitoire. Une lecture de réinitialisation peut fournir une option hautement parallélisée et économe en énergie pour garantir que des blocs de mémoire sont dans le premier état. Divers modes de lecture de réinitialisation peuvent être configurés selon différentes entrées.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)