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1. (WO2019046030) THREE DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS
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公布号: WO/2019/046030 国际申请号: PCT/US2018/047143
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 21.08.2018
国际专利分类:
H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
25
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
03
所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
04
不具有单独容器的器件
065
包含在H01L 27/00组类型的器件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
45
无电位跃变势垒或表面势垒的,专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件,例如介电三极管;奥氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
申请人:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; MAIL STOP 525 8000 SOUTH FEDERAL WAY P.O. BOX 6 BOISE, Idaho 83707-0006, US
发明人:
PIROVANO, Agostino; IT
REDAELLI, Andrea; IT
PELLIZZER, Fabio; US
TORTORELLI, Innocenzo; IT
代理人:
KERN, Jacob T.; US
优先权数据:
15/689,15529.08.2017US
标题 (EN) THREE DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS
(FR) RÉSEAUX DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
摘要:
(EN) In an example, a memory array may include a plurality of first dielectric materials and a plurality of stacks, where each respective first dielectric material and each respective stack alternate, and where each respective stack comprises a first conductive material and a storage material. A second conductive material may pass through the plurality of first dielectric materials and the plurality of stacks. Each respective stack may further include a second dielectric material between the first conductive material and the second conductive material.
(FR) Un exemple de l'invention concerne un réseau de mémoire qui peut comprendre une pluralité de premiers matériaux diélectriques et une pluralité d'empilements, chaque premier matériau diélectrique respectif et chaque empilement respectif étant alternés, et chaque empilement respectif comprenant un premier matériau conducteur et un matériau de stockage. Un deuxième matériau conducteur peut passer à travers la pluralité de premiers matériaux diélectriques et la pluralité d'empilements. Chaque empilement respectif peut en outre comprendre un deuxième matériau diélectrique entre le premier matériau conducteur et le deuxième matériau conducteur.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)