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1. (WO2019045880) WAFERS HAVING III-NITRIDE AND DIAMOND LAYERS
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公布号: WO/2019/045880 国际申请号: PCT/US2018/041172
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 08.07.2018
国际专利分类:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
78
把衬底连续地分成多个独立的器件
申请人:
RFHIC CORPORATION [US/US]; 920 Morrisville Pkwy Morrisville, North Carolina 27560, US
发明人:
CHO, Sam Yul; US
LEE, Won Sang; US
代理人:
PARK, Chung Sik; US
优先权数据:
15/693,33331.08.2017US
标题 (EN) WAFERS HAVING III-NITRIDE AND DIAMOND LAYERS
(FR) PLAQUETTES AYANT DES COUCHES DE NITRURE III ET DE DIAMANT
摘要:
(EN) Wafers (1309) including a diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds and methods for fabricating the wafers (1309) are provided. A first SiC layer (1304) is formed on a silicon substrate (1302), and using a carbon containing gas, a surface of the first SiC layer (1304) is carbonized to form carbon particles on the SiC layer. Then, a diamond layer (1306) is grown on the carbonized surface, where the carbon atoms act as seed particles for growing the diamond layer. A second SiC layer (1308) is formed on the diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds is formed on the second SiC layer (1308). Then, the silicon substrate (1302) and the first SiC layer (1304) are removed.
(FR) L'invention concerne des plaquettes (1309) comprenant une couche de diamant (1306) et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III, et des procédés de fabrication des plaquettes (1309). Une première couche de SiC (1304) est formée sur un substrat de silicium (1302), et à l'aide d'un gaz contenant du carbone, une surface de la première couche de SiC (1304) est carbonisée pour former des particules de carbone sur la couche de SiC. Ensuite, une couche de diamant (1306) est développée sur la surface carbonisée, où les atomes de carbone agissent en tant que particules de germe pour faire croître la couche de diamant. Une seconde couche de SiC (1308) est formée sur la couche de diamant (1306), et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III est formée sur la seconde couche de SiC (1308). Ensuite, le substrat de silicium (1302) et la première couche de SiC (1304) sont retirés.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)