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1. (WO2019045808) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE CONTAINING DISCRETE MEMORY MATERIAL PORTIONS AND METHOD OF MAKING THEREOF
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公布号: WO/2019/045808 国际申请号: PCT/US2018/034312
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 24.05.2018
国际专利分类:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
45
无电位跃变势垒或表面势垒的,专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件,例如介电三极管;奥氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
40
按其电极特征区分的
43
以形成材料为特征的
49
金属绝缘体半导体电极
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
24
包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大,或切换的固态组件的
申请人:
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 5080 Spectrum Drive Suite 1050W Addison, Texas 75001, US
发明人:
UNO, Tomohiro; US
KATAOKA, Shiori; US
YOSHIDA, Yusuke; US
代理人:
RADOMSKY, Leon; US
COHN, Joanna; US
CONNOR, David; US
GAYOSO, Tony; US
GEMMELL, Elizabeth; US
GILL, Matthew; US
GREGORY, Shaun; US
GUNNELS, Zarema; US
HANSEN, Robert; US
HUANG, Stephen; US
HYAMS, David; US
JOHNSON, Timothy; US
MAZAHERY, Benjamin; US
MURPHY, Timothy; US
NGUYEN, Jacqueline; US
O'BRIEN, Michelle; US
PARK, Byeongju; US
RUTT, Steven; US
SIMON, Phyllis; US
SMITH, Jackson; US
SULSKY, Martin; US
优先权数据:
15/692,23031.08.2017US
标题 (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE CONTAINING DISCRETE MEMORY MATERIAL PORTIONS AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE CONTENANT DES PARTIES DE MATÉRIAU DE MÉMOIRE DISCRÈTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
摘要:
(EN) An alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers is formed over a substrate. Sidewalls of the electrically conductive layers are laterally recessed to form laterally recessed regions. After formation of a conformal barrier material layer in the laterally recessed regions and on the sidewalls of the insulating layers, an amorphous precursor memory material layer is deposited in lateral cavities and over the conformal barrier material layer. An anneal process is performed to selectively crystallize portions of the amorphous precursor memory material layer in the lateral cavities into crystalline memory material portions while not crystallizing portions of the amorphous precursor memory material outside the lateral cavities. Remaining amorphous portions of the amorphous precursor memory material layer are removed selective to the crystalline memory material portions. A vertical conductive line is formed on the crystalline memory material portions. The crystalline memory material portions are formed as discrete self-aligned material portions.
(FR) Selon la présente invention, un empilement alterné de couches isolantes et de couches électriquement conductrices est formé sur un substrat. Les parois latérales des couches électriquement conductrices sont évidées latéralement pour former des régions évidées latéralement. Après la formation d'une couche de matériau barrière conforme dans les régions évidées latéralement et sur les parois latérales des couches isolantes, une couche de matériau de mémoire précurseur amorphe est déposée dans des cavités latérales et sur la couche de matériau barrière conforme. Un processus de recuit est effectué pour cristalliser sélectivement des parties de la couche de matériau de mémoire précurseur amorphe dans les cavités latérales en des parties de matériau de mémoire cristallin tout en ne cristallisant pas des parties du matériau de mémoire de précurseur amorphe à l'extérieur des cavités latérales. Les parties amorphes restantes de la couche de matériau de mémoire précurseur amorphe sont éliminées de manière sélective par rapport aux parties de matériau de mémoire cristallin. Une ligne conductrice verticale est formée sur les parties de matériau de mémoire cristallin. Les parties de matériau de mémoire cristallin se présentent sous la forme de parties de matériau auto-alignées discrètes.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)