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1. (WO2019045435) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
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公布号: WO/2019/045435 国际申请号: PCT/KR2018/009954
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 29.08.2018
国际专利分类:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
36
以电极为特征的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
02
以半导体为特征的
10
具有一个光反射结构,例如半导体布拉格反射镜
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
48
以半导体封装体为特征的
62
向该半导体导入或自该半导体导出电流的装置,例如引线框架、焊线或焊球
申请人:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16677, KR
发明人:
KIM, Jae-seok; KR
KANG, Jin-hee; KR
KANG, Ji-hoon; KR
代理人:
KIM, Tae-hun; KR
JEONG, Hong-sik; KR
优先权数据:
10-2017-011208601.09.2017KR
标题 (EN) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) APPAREIL À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
摘要:
(EN) A method of manufacturing a light emitting diode is provided. The method includes forming a semiconductor layer on a substrate, forming a mask layer including a plurality of grooves on the semiconductor layer, forming a plurality of nanostructures in the plurality of grooves, respectively, forming an etched region by etching an outer region of the semiconductor layer and an inner region of the semiconductor layer different from the outer region, forming a first electrode on the etched region of the semiconductor layer, forming an insulation layer on the first electrode, and forming a second electrode on the insulation layer and the plurality of nanostructures.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de diode électroluminescente. Le procédé consiste à : former une couche semi-conductrice sur un substrat, former une couche de masque comprenant une pluralité de rainures sur la couche semi-conductrice, former une pluralité de nanostructures dans la pluralité de rainures, respectivement, former une région gravée par gravure d'une région externe de la couche semi-conductrice et d'une région interne de la couche semi-conductrice différente de la région externe, former une première électrode sur la région gravée de la couche semi-conductrice, former une couche d'isolation sur la première électrode, et former une seconde électrode sur la couche d'isolation et la pluralité de nanostructures.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)