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1. (WO2019044921) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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公布号: WO/2019/044921 国际申请号: PCT/JP2018/032004
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 29.08.2018
国际专利分类:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
02
按其半导体本体的特征区分的
06
按其形状区分的;按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
02
按其半导体本体的特征区分的
12
按其构成材料的特征区分的
申请人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP
发明人:
箕谷 周平 MITANI Shuhei; JP
梶 愛子 KAJI Aiko; JP
海老原 康裕 EBIHARA Yasuhiro; JP
永岡 達司 NAGAOKA Tatsuji; JP
青井 佐智子 AOI Sachiko; JP
代理人:
特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目6番5号 名古屋錦シティビル4階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
优先权数据:
2017-16688231.08.2017JP
标题 (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
摘要:
(EN) This silicon carbide semiconductor device is provided with: a first current dispersion layer (13), which is formed between an n- type layer (12) and a base region (18), and which is formed of a first conductivity-type silicon carbide having an impurity concentration that is higher than that of the n- type layer (12); a plurality of first deep layers (14), which are formed in the first current dispersion layer (13) such that the first deep layers are shallower than the first current dispersion layer (13), said first deep layers being formed of a second conductivity-type silicon carbide extending in one direction; a second current dispersion layer (15), which is formed between the first current dispersion layer (13) and the base region (18), and in which a bottom section of a trench (21) is positioned, said second current dispersion layer being formed of a first conductivity-type silicon carbide; and a second deep layer 17, which is formed between the first current dispersion layer (13) and the base region (18), and which is connected to the base region (18) and the first deep layers (14), said second deep layer being formed of a second conductivity-type silicon carbide that is formed by being separated from the trench (21).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium, comportant : une première couche de dispersion de courant (13), qui est disposée entre une couche de type n- (12) et une région de support (18), et qui est constituée d'un premier carbure de silicium à conductivité ayant une concentration en impuretés supérieure à celle de la couche de type n- (12) ; une pluralité de premières couches profondes (14), qui sont disposées dans la première couche de dispersion de courant (13) de sorte que les premières couches profondes sont moins profondes que la première couche de dispersion de courant (13), lesdites premières couches profondes étant constituées d'un second carbure de silicium à conductivité s'étendant dans une direction ; une seconde couche de dispersion de courant (15), qui est disposée entre la première couche de dispersion de courant (13) et la région de support (18), et dans laquelle une section inférieure d'une tranchée (21) est placée, ladite seconde couche de dispersion de courant étant constituée d'un premier carbure de silicium à conductivité ; et une seconde couche profonde (17), qui est disposée entre la première couche de dispersion de courant (13) et la région de support (18), et qui est reliée à la région de support (18) et aux premières couches profondes (14), ladite seconde couche profonde étant constituée d'un second carbure de silicium à conductivité formé de manière à être séparé de la tranchée (21).
(JA) 型層(12)とベース領域(18)との間に形成され、n型層(12)よりも高不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなる第1電流分散層(13)と、第1電流分散層(13)内に形成され、第1電流分散層(13)より浅くされると共に一方向に延設された第2導電型の炭化珪素からなる複数の第1ディープ層(14)と、第1電流分散層(13)とベース領域(18)との間に形成され、トレンチ(21)の底部が位置し、第1導電型の炭化珪素からなる第2電流分散層(15)と、第1電流分散層(13)とベース領域(18)との間に形成され、ベース領域(18)と繋がると共に第1ディープ層(14)と繋がり、かつトレンチ(21)から離れて形成された第2導電型の炭化珪素からなる第2ディープ層17と、を備えるようにする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)