此应用程序的某些内容目前无法使用。
如果这种情况持续存在,请联系我们反馈与联系
1. (WO2019044243) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
国际局存档的最新著录项目数据    提交意见

公布号: WO/2019/044243 国际申请号: PCT/JP2018/027040
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 19.07.2018
国际专利分类:
H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
23
半导体或其他固态器件的零部件
28
封装,例如密封层、涂覆物
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
23
半导体或其他固态器件的零部件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
23
半导体或其他固态器件的零部件
28
封装,例如密封层、涂覆物
29
按材料特点进行区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
23
半导体或其他固态器件的零部件
28
封装,例如密封层、涂覆物
31
按配置特点进行区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
25
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
03
所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
04
不具有单独容器的器件
07
包含在H01L 29/00组类型的器件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
25
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
18
包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
申请人:
株式会社 日立パワーデバイス HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. [JP/JP]; 茨城県日立市大みか町五丁目2番2号 2-2, Omika-cho 5-chome, Hitachi-shi, Ibaraki 3191221, JP
发明人:
川村 大地 KAWAMURA Daichi; JP
増田 徹 MASUDA Toru; JP
楠川 順平 KUSUKAWA Junpei; JP
代理人:
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
优先权数据:
2017-16499730.08.2017JP
标题 (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体モジュール
摘要:
(EN) The present invention provides a power semiconductor module capable of preventing short-circuit breakdown due to creeping discharge even when the area of a surface electrode on an insulating substrate is enlarged and the creepage distance is reduced in order to ensure high insulation reliability of the power semiconductor module while realizing a large capacity thereof. This power semiconductor module 100 is characterized by being provided with: an insulating substrate 2 in which a first electrode 7-1 and a second electrode 7-2 are provided on front and back surfaces thereof; a power semiconductor chip 1 bonded to the first electrode 7-1; a metal base 3 bonded to the second electrode 7-2; an insulating case 5; and a silicone gel 6 that is disposed in a space formed by the metal base 3 and the insulating case 5 and seals the insulating substrate 2 and the power semiconductor chip 1, wherein side surfaces of the insulating substrate 2 facing each other, or a side surface of the insulating case 5 facing the insulating substrate 2 and a side surface of the insulating substrate 2 are bonded with a hard resin 8, and the hard resin 8 covers a portion of a portion at which the insulating substrate 2 is exposed from the first electrode 7-1 and a portion of the side surface of the insulating substrate 2.
(FR) La présente invention concerne un module semi-conducteur de puissance capable d'empêcher une coupure en court-circuit due à une décharge rampante même lorsque la superficie d'une électrode de surface sur un substrat isolant est agrandie et la distance de fuite est réduite afin d'assurer une fiabilité d'isolation élevée du module semi-conducteur de puissance tout en obtenant une grande capacité de celui-ci. Ledit module semi-conducteur de puissance (100) est caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat isolant (2), une première électrode (7-1) et une seconde électrode (7-2) étant disposées sur des surfaces avant et arrière de celui-ci ; une puce à semi-conducteur de puissance (1) soudée à la première électrode (7-1) ; une base métallique (3) soudée à la seconde électrode (7-2) ; un boîtier isolant (5) ; et un gel de silicone (6) qui est disposé dans un espace formé par la base métallique (3) et le boîtier isolant (5) et scelle le substrat isolant (2) et la puce à semi-conducteur de puissance (1), les surfaces latérales du substrat isolant (2) se faisant face, ou une surface latérale du boîtier isolant (5) faisant face au substrat isolant (2) et une surface latérale du substrat isolant (2) étant soudées avec une résine dure (8), et la résine dure (8) recouvrant une partie d'une partie sur laquelle le substrat isolant (2) est exposé à partir de la première électrode (7-1) et une partie de la surface latérale du substrat isolant (2).
(JA) パワー半導体モジュールの大容量化を実現しながら高絶縁信頼性を担保するため、絶縁基板上の表面電極の面積を拡大し沿面距離を縮小した場合でも、沿面放電による短絡破壊を防ぐことを可能とするパワー半導体モジュールを提供する。パワー半導体モジュール100は、第1の電極7-1と第2の電極7-2とが表裏面上に設けられる絶縁基板2と、第1の電極7-1に接合されたパワー半導体チップ1と、第2の電極7-2に接合された金属ベース3と、絶縁ケース5と、金属ベース3と絶縁ケース5とで形成される空間内に配置されて絶縁基板2とパワー半導体チップ1とを封止するシリコーンゲル6とを有し、絶縁基板2の互いに対向する側面同士もしくは絶縁基板2に対向する絶縁ケース5の側面と絶縁基板2の側面とが硬質樹脂8で接合され、硬質樹脂8は絶縁基板2が第1の電極7-1から露出している部分の一部及び絶縁基板2の側面の一部を覆うことを特徴とする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)