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1. (WO2019043973) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/043973 国际申请号: PCT/JP2017/047289
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 28.12.2017
国际专利分类:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C 化学;冶金
30
晶体生长
B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
29
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
10
无机化合物或组合物
36
碳化物
C 化学;冶金
30
晶体生长
B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
25
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
02
外延层生长
18
以衬底为特征的
20
与外延层材料相同的衬底
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
20
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
20
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的,即化学沉积
申请人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
发明人:
堀 勉 HORI, Tsutomu; JP
宮瀬 貴也 MIYASE, Takaya; JP
本家 翼 HONKE, Tsubasa; JP
山本 裕史 YAMAMOTO, Hirofumi; JP
沖田 恭子 OKITA, Kyoko; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
优先权数据:
PCT/JP2017/03166801.09.2017JP
标题 (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板
摘要:
(EN) This silicon carbide epitaxial substrate is provided with a single-crystal silicon carbide substrate having a principal surface that has a polytype of 4H and is inclined by an angle θ in an <11-20> orientation from a {0001} plane, and a silicon carbide epitaxial layer of a film thickness t formed on the principal surface. The single-crystal silicon carbide substrate has a diameter of 150 mm or greater. The angle θ is more than 0°, and not more than 6°. Pairs of a pit of a screw dislocation and an oblique line defect present at a location spaced apart by t/tanθ from the pit is present on the surface of the silicon carbide epitaxial layer. The density of pairs of pits and oblique line defects is 0.2/cm2 or less.
(FR) La présente invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium pourvu d’un substrat de carbure de silicium monocristallin présentant une surface principale qui possède un polytype de 4H et qui est incliné d’un angle θ dans un sens <11-20> depuis un plan {1} et une couche épitaxiale de carbure de silicium d’une épaisseur de film t formée sur la surface principale. Le substrat de carbure de silicium monocristallin présente un diamètre supérieur ou égal à 150 mm. L’angle θ est supérieur à 0° et inférieur ou égal à 6°. Des paires d'un creux d’une dislocation en vis et un défaut de ligne oblique présent à un emplacement espacé de t/tanθ par rapport au creux est présent sur la surface de la couche épitaxiale de carbure de silicium. La densité des paires de creux et des défauts en ligne oblique est inférieure ou égale à 0,2/cm2.
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板は、ポリタイプが4Hであり、{0001}面から<11-20>方位に角度θ傾斜した主面を有する炭化珪素単結晶基板と、主面の上に形成された膜厚tの炭化珪素エピタキシャル層と、を備え、炭化珪素単結晶基板の径は150mm以上であり、角度θは0°を超え6°以下であって、炭化珪素エピタキシャル層の表面には、らせん転位のピットと、ピットよりt/tanθ離れた位置に存在する斜め線欠陥とのペアが存在しており、ピットと斜め線欠陥のペアの密度が0.2個/cm以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)