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1. (WO2019043888) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/043888 国际申请号: PCT/JP2017/031449
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 31.08.2017
国际专利分类:
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
78
把衬底连续地分成多个独立的器件
82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
336
带有绝缘栅的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
78
把衬底连续地分成多个独立的器件
82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
822
衬底是采用硅工艺的半导体的
8232
场效应工艺
8234
MIS technology
8238
互补场效应晶体管,例如CMOS
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
08
只包括有一种半导体组件的
085
只包含场效应的组件
088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
092
互补MIS场效应晶体管
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
申请人:
株式会社ソシオネクスト SOCIONEXT INC. [JP/JP]; 神奈川県横浜市港北区新横浜二丁目10番23 2-10-23 Shin-Yokohama, Kohoku-Ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033, JP
发明人:
伊藤 千夏 ITO Chika; --
祖父江 功弥 SOBUE Isaya; --
田中 英俊 TANAKA Hidetoshi; --
代理人:
特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS; 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番1号 新ダイビル23階 Shin-Daibiru Bldg. 23F, 2-1, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
优先权数据:
标题 (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積回路装置
摘要:
(EN) An ESD protection circuit (101) is provided with: a first fin structure (11) that includes first conductive fins (16); and a second fin structure (12) that includes second conductive fins (17) and faces the first fin structure (11). A first power supply wire (81) connected to the first fin structure (11) and a signal wire (82) connected to the second fin structure (12) are formed in a first wiring layer (M1). A second power supply wire (6) connected to the first power supply wire (81) is formed in a second wiring layer (M2). The width of the second fin structure (12) is larger than that of the first fin structure (11), and the width of the signal wire (82) is larger than that of the first power supply wire (81).
(FR) La présente invention concerne un circuit de protection contre les DES (101) pourvu : d'une première structure à ailettes (11) qui comprend des premières ailettes conductrices (16) ; et d'une seconde structure à ailettes (12) qui comprend des secondes ailettes conductrices (17) et qui fait face à la première structure à ailettes (11). Un premier fil d'alimentation électrique (81) connecté à la première structure à ailettes (11) et un fil de signal (82) connecté à la seconde structure à ailettes (12) sont formés dans une première couche de câblage (M1). Un second fil d'alimentation électrique (6) connecté au premier fil d'alimentation électrique (81) est formé dans une seconde couche de câblage (M2). La largeur de la seconde structure à ailettes (12) est supérieure à celle de la première structure à ailettes (11), et la largeur du fil de signal (82) est supérieure à celle du premier fil d'alimentation électrique (81).
(JA) ESD保護回路(101)は、第1導電型フィン(16)を含む第1フィン構造部(11)と、第2導電型フィン(17)を含み、第1フィン構造部(11)と対向する第2フィン構造部(12)を備える。第1配線層(M1)に、第1フィン構造部(11)と接続された第1電源配線(81)と、第2フィン構造部(12)と接続された信号配線(82)が形成され、第2配線層(M2)に、第1電源配線(81)と接続された第2電源配線(6)が形成される。第2フィン構造部(12)が占める幅は、第1フィン構造部(11)よりも大きく、信号配線(82)の幅は、第1電源配線(81)よりも大きい。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)