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1. (WO2019043511) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
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公布号: WO/2019/043511 国际申请号: PCT/IB2018/056334
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 22.08.2018
国际专利分类:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
G PHYSICS
02
光学
F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
1
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
13
基于液晶的,例如单位液晶显示单元
133
构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置
136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元,例如形成集成电路部分的液晶单元
1362
有源矩阵寻址单元
1368
其中开关元件为三电极装置
G PHYSICS
09
教育;密码术;显示;广告;印鉴
F
显示;广告;标记;标签或铭牌;印鉴
9
采用选择或组合单个部件在支架上建立信息的可变信息的指示装置
30
由组合单个部件所形成的符号所需的字符或字符组
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
336
带有绝缘栅的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
28
包括使用有机材料作为有源部分,或使用有机材料与其他材料的组合作为有源部分的组件
32
具有专门适用于光发射的组件,例如使用有机发光二极管的平板显示器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
50
专门适用于光发射的,如有机发光二极管 (OLED)或聚合物发光器件(PLED)
申请人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
发明人:
神長正美 JINTYOU, Masami; --
黒崎大輔 KUROSAKI, Daisuke; --
大野正勝 OHNO, Masakatsu; --
肥塚純一 KOEZUKA, Junichi; JP
优先权数据:
2017-16813701.09.2017JP
标题 (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、及び表示装置
摘要:
(EN) Provided is a highly reliable semiconductor device. A semiconductor device in which a second insulating layer is located above a first insulating layer, a semiconductor layer is located between the first insulating layer and the second insulating layer, a third insulating layer is located above the second insulating layer, a fourth insulating layer is located above the third insulating layer, a first conductive layer is located between the third insulating layer and the fourth insulating layer and includes a region that overlaps the semiconductor layer, the third insulating layer includes a region that contacts a lower surface of the first conductive layer and a region that contacts the fourth insulating layer, the fourth insulating layer contacts an upper surface and a side surface of the first conductive layer, a fifth insulating layer contacts an upper surface and a side surface of the semiconductor layer and has a first opening and a second opening in a region that overlaps the semiconductor layer but does not overlap the first conductive layer, a second conductive layer and a third conductive layer are electrically connected to the semiconductor layer at the first opening and the second opening, respectively, the third and fifth insulating layers include a metal as well as oxygen or nitrogen, and a sixth insulating layer has a region that contacts an upper surface and a side surface of the fifth insulating layer and a region that contacts the first insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur hautement fiable. Un dispositif à semi-conducteur dans lequel une seconde couche isolante est située au-dessus d'une première couche isolante, une couche semi-conductrice est située entre la première couche isolante et la seconde couche isolante, une troisième couche isolante est située au-dessus de la seconde couche isolante, une quatrième couche isolante est située au-dessus de la troisième couche isolante, une première couche conductrice est située entre la troisième couche isolante et la quatrième couche isolante et comprend une région qui chevauche la couche semi-conductrice, la troisième couche isolante comprend une région qui entre en contact avec une surface inférieure de la première couche conductrice et une région qui est en contact avec la quatrième couche isolante, la quatrième couche isolante entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la première couche conductrice, une cinquième couche isolante entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la couche semi-conductrice et a une première ouverture et une seconde ouverture dans une région qui chevauche la couche semi-conductrice mais ne chevauche pas la première couche conductrice, une seconde couche conductrice et une troisième couche conductrice sont électroconnectées à la couche semi-conductrice au niveau de la première ouverture et de la seconde ouverture, respectivement, les troisième et cinquième couches isolantes comprennent un métal ainsi que de l'oxygène ou de l'azote, et une sixième couche isolante a une région qui entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la cinquième couche isolante et une région qui est en contact avec la première couche isolante.
(JA) 要約書 信頼性の高い半導体装置を提供する。 第2の絶縁層は第1の絶縁層上に位置し、半導体層は第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に位置し、 第3の絶縁層は第2の絶縁層上に位置し、 第4の絶縁層は第3の絶縁層上に位置し、 第1の導電層は 半導体層と重なる領域を有し、 かつ第3の絶縁層と第4の絶縁層との間に位置し、 第3の絶縁層は第 1の導電層の下面に接する領域と、 第4の絶縁層と接する領域とを有し、 第4の絶縁層は第1の導電 層の上面及び側面に接し、 第5の絶縁層は半導体層の上面及び側面に接し、 第5の絶縁層は半導体層 と重なり、 かつ第1の導電層と重ならない領域に第1の開口及び第2の開口を有し、 第2の導電層及 び第3の導電層はそれぞれ第1の開口及び第2の開口において半導体層と電気的に接続され、第3乃 至第5の絶縁層は金属と、 酸素又は窒素とを有し、 第6の絶縁層は第5の絶縁層の上面及び側面に接 する領域と、第1の絶縁層と接する領域とを有する半導体装置とする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)