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1. (WO2019043003) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP ARRAY
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Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl

strahlungsemittierender Halbleiterchips mit den folgenden Schritten:

- Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1),

- Epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen

Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, auf das Wachstumssubstrat (1), wobei die

Halbleiterschichtenfolge (2) ein

Nitridverbindungshalbleitermaterial umfasst ,

- Aufbringen einer strukturierten Fotolackschicht (4) mit sechseckigen oder dreieckigen Strukturelementen (5) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei Bereiche der

Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen den Strukturelementen (5) frei zugänglich sind, und

- Ätzen der Halbleiterschichtenfolge (2) in den frei

zugänglichen Bereichen, sodass sechseckige oder dreieckige Halbleiterschichtenstapel (2) mit Seitenflächen (11)

entstehen, von denen zumindest eine Seitenfläche (11)

parallel zu einer m-Fläche (7) oder parallel zu einer a-Fläche (6) des Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft, wobei

- die Halbleiterschichtenstapel als sechsseitige oder

dreiseitige Prismen ausgebildet sind, und

- die aktive Zone senkrecht auf den Seitenflächen des

Halbleiterschichtenstapels steht .

2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die strukturierte Fotolackschicht (4) mit den folgenden Schritten auf die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird :

- vollflächiges Aufbringen einer Fotolackschicht (4) auf die Halbleiterschichtenfolge (2),

- Belichten der Fotolackschicht (4) mit einer Maske, die sechseckige oder dreieckige Strukturelemente (5) aufweist, wobei die Maske derart justiert wird, dass zumindest eine

Seitenfläche (11) jedes Strukturelements (5) parallel zu der m-Fläche (7) oder parallel zu der a-Fläche (6) des

Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft .

3. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem beim Ätzen die aktive Zone (3) der Halbleiterschichtenfolge (2) vollständig durchtrennt wird.

4. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem trocken-chemischen Ätzverfahren oder mit einem nass-chemischen Ätzverfahren geätzt wird, so dass die Seitenflächen (11) der

Halbleiterschichtenstapel (2) entstehen.

5. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) zuerst mit einem trockenchemischen Ätzverfahren durchtrennt wird und dann die

entstandenen Seitenflächen (11) der Halbleiterschichtenstapel (2) mit einem nass-chemischen Ätzverfahren geglättet werden.

6. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem

- auf einer dem Wachstumssubstrat (1) abgewandten ersten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) eine

Spiegelschicht (12) aufgebracht wird,

- auf die Spiegelschicht (12) ein Träger (13) aufgebracht wird, und

- das Wachstumssubstrat (1) entfernt wird.

7. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem auf eine Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) ein

elektrischer Kontakt aufgebracht wird.

8. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der elektrische Kontakt eine transparente Kontaktschicht (14) und/oder ein metallischer Rahmen (16) umfasst.

9. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterchips vereinzelt werden, so dass jeder

Halbleiterchip einen einzigen Halbleiterschichtenstapel (10) umfasst .

10. Verfahren nach einem der Ansprüche, bei dem beim

Vereinzeln mehrere Halbleiterschichtenstapel (10) in einem Verbund zusammengefasst werden, so dass ein Halbleiterchip-Array entsteht.

11. Strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einem

Halbleiterschichtenstapel (2), der eine aktive Zone (3) umfasst, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei

- der Halbleiterschichtenstapel (10) ein

Nitridverbindungshalbleitermaterial umfasst,

- der Halbleiterschichtenstapel (2) eine sechseckige oder dreieckige Grundfläche aufweist,

- zumindest eine Seitenfläche (11) des

Halbleiterschichtenstapels (2) parallel zur m-Fläche (7) oder parallel zur a-Fläche (6) des

Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft,

- der Halbleiterschichtenstapel als sechsseitiges oder dreiseitiges Prisma ausgebildet ist, und

- die aktive Zone senkrecht auf den Seitenflächen des

Halbleiterschichtenstapels steht .

12. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem

vorherigen Anspruch, bei dem eine Seitenkante der Grundfläche des Halbleiterschichtenstapels (10) nicht größer ist als 30 Mikrometer .

13. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 11 bis 12, der einen Träger (13) aufweist, auf dem der Halbleiterschichtenstapel (10) angeordnet ist, wobei zwischen dem Träger (13) und dem Halbleiterschichtenstapel (10) eine Spiegelschicht (12) angeordnet ist.

14. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem auf einer Hauptfläche des

Halbleiterschichtenstapels (10) ein elektrischer Kontakt angeordnet ist, der eine transparente Kontaktschicht (14) und/oder einen metallischen Rahmen (16) umfasst.

15. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 11 bis 14, bei dem die Seitenflächen die aktive Zone überdecken.

16. Strahlungsemittierender Halbleiterchip-Array mit einer Vielzahl an Halbleiterschichtenstapeln (10), wobei

- jeder Halbleiterschichtenstapel (10) eine aktive Zone (3) umfasst, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,

- die Halbleiterschichtenstapel (10) ein

Nitridverbindungshalbleitermaterial umfassen,

- jeder Halbleiterschichtenstapel (10) eine sechseckige oder dreieckige Grundfläche aufweist,

- zumindest eine Seitenfläche (11) jedes

Halbleiterschichtenstapels (10) parallel zur m-Fläche (7) oder parallel zur a-Fläche (6) des

Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft,

- die Halbleiterschichtenstapel als sechsseitige oder

dreiseitige Prismen ausgebildet sind, und

- die aktive Zone senkrecht auf den Seitenflächen des

Halbleiterschichtenstapels steht .

17. Strahlungsemittierender Halbleiterchip-Array nach dem vorherigen Anspruch, bei dem

- die Halbleiterschichtenstapel (10) auf einem gemeinsamen Träger (13) angeordnet sind, der eine integrierte Schaltung zur Steuerung der Halbleiterschichtenstapel (10) aufweist, - jeder Halbleiterschichtenstapel (10) über eine erste

Hauptfläche elektrisch leitend mit der integrierten Schaltung verbunden ist, und

- die Halbleiterschichtenstapel (10) über ihre zweiten

Hauptseiten elektrisch leitend miteinander verbunden sind.

18. Strahlungsemittierender Halbleiterchip-Array nach dem vorherigen Anspruch, bei dem

- jeder Halbleiterschichtenstapel (10) auf seiner zweiten Hauptfläche eine sechseckige oder dreieckige

Strahlungsdurchtrittsfläche aufweist, die von einem

metallischen Rahmen (16) umlaufen wird, der als elektrischer Kontakt dient, und

- die Halbleiterschichtenstapel (10) über Stege (17)

elektrisch leitend miteinander verbunden sind, die die metallischen Rahmen (16) benachbarter

Halbleiterschichtenstapel (10) elektrisch leitend miteinander verbinden .