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1. (WO2019042894) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/042894 国际申请号: PCT/EP2018/072906
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 24.08.2018
国际专利分类:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/04 (2010.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
02
以半导体为特征的
04
具有一个量子效应结构或超晶格,例如隧道结
06
在发光区中,例如量子限制结构或隧道势垒
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
02
以半导体为特征的
14
具有一个载流子传输控制结构,例如高掺杂半导体层或电流阻断结构
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
02
以半导体为特征的
26
发光区的材料
30
只包括周期体系中的III族和V族的元素
32
含氮
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
02
以半导体为特征的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
02
以半导体为特征的
04
具有一个量子效应结构或超晶格,例如隧道结
申请人:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
发明人:
DRAGO, Massimo; DE
FREY, Alexander; DE
HERTKORN, Joachim; DE
KOSLOW, Ingrid; DE
代理人:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
优先权数据:
10 2017 120 302.804.09.2017DE
标题 (DE) HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
(EN) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) CORPS SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR
摘要:
(DE) Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem - der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei - die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist, - die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist, - die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist, - die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist, - die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und - die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.
(EN) The invention relates to a semiconductor body (10) based on a nitride compound semiconductor material, having a p-conducting region (100), in which the p-conductive region (100) has a barrier zone (110) and a contact zone (120). The barrier zone (110) has a first magnesium concentration (M110) and a first aluminum concentration (A110), and the contact zone (120) has a second magnesium concentration (M120) and a second aluminum concentration (A120). The first aluminum concentration (A110) is greater than the second aluminum concentration (A120), and the first magnesium concentration (M110) is smaller than the second magnesium concentration (M120). The contact zone (120) forms an outwardly exposed surface (10a) of the semiconductor body (10), and the barrier zone (110) adjoins the contact zone (120).
(FR) L’invention concerne un corps semi-conducteur (10) à base d’un matériau semi-conducteur composé de nitrure pourvu d’une zone conductrice de type p (100), tel que - la zone conductrice de type p (100) comporte une zone de barrière (110) et une zone de contact (120), - la zone de barrière (110) présentant une première concentration en magnésium (M110) et une première concentration en aluminium (A110), - la zone de contact (120) présentant une deuxième concentration en magnésium (M120) et une deuxième concentration en aluminium (A120), - la première concentration en aluminium (A110) étant supérieure à la deuxième concentration en aluminium (A120), - la première concentration en magnésium (M110) étant inférieure à la deuxième concentration en magnésium (M120), - la zone de contact (120) constituant une surface libre vers l’extérieur (10a) du corps semi-conducteur (10), et - la zone de barrière (110) étant adjacente à la zone de contact (120).
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 德语 (DE)
申请语言: 德语 (DE)