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1. (WO2019042118) METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
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公布号: WO/2019/042118 国际申请号: PCT/CN2018/100236
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 13.08.2018
国际专利分类:
H01L 21/335 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
申请人:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No.5 Yiheyuan Rd., Haidian District Beijing 100871, CN
发明人:
MENG, Hu; CN
LIANG, Xuelei; CN
XIA, Jiye; CN
TIAN, Boyuan; CN
DONG, Guodong; CN
HUANG, Qi; CN
代理人:
TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
优先权数据:
201710774682.531.08.2017CN
标题 (EN) METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
摘要:
(EN) A method of fabricating a thin film transistor. The method includes selecting a nano-structure material having a monotonic relationship between a threshold voltage and a channel length when the nano-structure material is formed as a channel part in a thin film transistor; forming an active layer using the nano-structure material; determining a nominal channel length of a channel part of the thin film transistor based on the monotonic relationship and a reference threshold voltage so that the thin film transistor is formed to have a nominal threshold voltage; and forming a source electrode and a drain electrode thereby forming the channel part in the active layer having the nominal channel length.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces. Le procédé consiste à sélectionner un matériau de nano-structure ayant une relation monotone entre une tension seuil et une longueur de canal lorsque le matériau de nano-structure est formé en tant que partie de canal dans un transistor à couches minces ; à former une couche active à l'aide du matériau de nano-structure ; à déterminer une longueur de canal nominale d'une partie de canal du transistor à couches minces sur la base de la relation monotone et d'une tension seuil de référence de sorte que le transistor à couches minces est formé pour avoir une tension seuil nominale ; et à former une électrode de source et une électrode de drain, formant ainsi la partie de canal dans la couche active ayant la longueur de canal nominale.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)