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1. (WO2019041976) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
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公布号: WO/2019/041976 国际申请号: PCT/CN2018/091784
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 19.06.2018
国际专利分类:
H01L 21/77 (2017.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
申请人:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
发明人:
BAN, Shengguang; CN
CAO, Zhanfeng; CN
YAO, Qi; CN
代理人:
TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
优先权数据:
201710772525.031.08.2017CN
标题 (EN) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
摘要:
(EN) The present application provides an array substrate. The array substrate includes a base substrate; a light shielding layer on the base substrate; a metal oxide layer on a side of the light shielding layer distal to the base substrate; and an active layer on a side of the metal oxide layer distal to the base substrate. The metal oxide layer includes a metal oxide material. The light shielding layer includes amorphous silicon. An orthographic projection of the light shielding layer on the base substrate substantially overlaps with an orthographic projection of the active layer on the base substrate, and substantially overlaps with an orthographic projection of the metal oxide layer on the base substrate.
(FR) La présente invention se rapporte à un substrat de réseau. Le substrat de réseau comprend un substrat de base; une couche de protection contre la lumière sur le substrat de base; une couche d'oxyde métallique sur un côté de la couche de protection contre la lumière distal par rapport au substrat de base; et une couche active sur un côté de la couche d'oxyde métallique distal par rapport au substrat de base. La couche d'oxyde métallique comprend un matériau d'oxyde métallique. La couche de protection contre la lumière comprend du silicium amorphe. Une projection orthographique de la couche de protection contre la lumière sur le substrat de base chevauche sensiblement une projection orthographique de la couche active sur le substrat de base, et chevauche sensiblement une projection orthographique de la couche d'oxyde métallique sur le substrat de base.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)